[发明专利]一种单晶衬底的制备方法

权利要求书

1.一种单晶衬底的制备方法，其特征在于，包括：

制备基底结构；

在所述基底结构上生长单晶衬底层；

将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，制备基底结构，包括：

选取衬底层；

在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构；

在具有所述凸起结构的所述衬底层的一侧生长一层具有平滑表面的外延层；

去除所述衬底层上每个凹陷结构上方的外延层直至暴露所述衬底层，并保留所述衬底层上每个凸起结构上方的至少一部分外延层，形成若干籽晶结构，完成所述基底结构的制备。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构，包括：

在所述衬底层上生长掩膜层；

按照预设图形对所述掩膜层进行曝光、显影和刻蚀处理，暴露部分所述衬底层表面；

刻蚀暴露的所述衬底层，在所述衬底层上形成所述若干凸起结构和所述若干凹陷结构。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构，包括：

按照预设周期和预设图形，利用沉积掩膜层和刻蚀方法在所述衬底层上形成若干凸起结构和若干凹陷结构。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述基底结构上生长单晶衬底层，包括：

在所述若干籽晶结构上生长具有平滑表面的单晶衬底层。

6.根据权利要求2至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述单晶衬底层和所述外延层的材料均为GaN系材料。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底，包括：

通过自剥离、激光剥离或化学腐蚀方法将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通过自剥离方法将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底，包括：

在预设降温速率条件下，将设置有所述单晶衬底层的所述基底结构从第一温度降温至第二温度，得到所述单晶衬底。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通过激光剥离方法将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底，包括：

将设置有所述单晶衬底层的所述基底结构粘附于支撑衬底上，之后利用激光光束从远离所述单晶衬底层的所述基底结构的一侧进行激光照射处理，得到所述单晶衬底。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，通过化学腐蚀方法将所述单晶衬底层从所述基底结构上剥离下来得到单晶衬底，包括：

通过碱性溶液或熔融状态的液态碱对设置有所述单晶衬底层的所述基底结构进行处理，得到所述单晶衬底。