[发明专利]集成芯片及其形成方法

权利要求书

1.一种集成芯片，包括：

磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，由设置在衬底上方的介电结构围绕，其中，所述磁阻随机存取存储器器件包括设置在底部电极和顶部电极之间的磁隧道结；

底部电极通孔，将所述底部电极耦合到下部互连线；以及

顶部电极通孔，将所述顶部电极耦合到上部互连线，其中，所述顶部电极通孔的底面具有第一宽度，所述第一宽度小于所述底部电极通孔的底面的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，第一线与所述顶部电极通孔的第一最外侧壁相切，并且第二线与所述顶部电极通孔的相对的第二最外侧壁相切；并且

其中，所述第一线相对于水平面以第一角度定向，所述水平面平行于所述衬底的上表面，并且所述第二线相对于所述水平面以第二角度定向，所述第二角度小于所述第一角度。

3.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔的底面具有非零斜率。

4.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔的底面具有椭圆形状。

5.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，当沿着所述顶部电极通孔的截面图观察时，所述顶部电极通孔相对于等分所述顶部电极通孔的线是不对称的。

6.根据权利要求1所述的集成芯片，其中，所述顶部电极通孔具有沿着所述顶部电极通孔的截面图线性的第一侧壁和沿着所述截面图弯曲的相对侧壁。

7.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，所述顶部电极通孔沿着垂直于所述衬底的上表面的第一轴居中；并且

其中，所述上部互连线沿着第二轴居中，所述第二轴垂直于所述衬底的上表面并且与所述第一轴分隔开非零距离。

8.根据权利要求1所述的集成芯片，

其中，所述顶部电极通孔的底面具有沿着第一方向的所述第一宽度和沿着垂直于所述第一方向的第二方向的第一长度；并且

其中，所述第一长度大于所述第一宽度。

9.一种集成芯片，包括：

底部电极，布置在衬底上方；

磁隧道结，设置在所述底部电极上方；

顶部电极，设置在所述磁隧道结上方；

顶部电极通孔，设置在所述顶部电极上，其中，所述顶部电极通孔沿着垂直于所述衬底的上表面的第一轴居中；以及

上部互连线，与所述顶部电极通孔的顶部接触，其中，所述上部互连线沿着第二轴居中，所述第二轴垂直于所述衬底的上表面并且与所述第一轴横向分隔开非零距离。

10.一种形成集成芯片的方法，包括：

在衬底上方的磁阻随机存取存储器器件上方形成上部层间介电层；

在所述上部层间介电层上方形成硬掩模结构，所述硬掩模结构具有限定第一开口的侧壁，所述第一开口位于所述磁阻随机存取存储器器件正上方并且沿着垂直于所述衬底的上表面的第一线居中；

在所述硬掩模结构上方形成图案化结构，所述图案化结构具有限定第二开口的侧壁，所述第二开口位于所述磁阻随机存取存储器器件正上方并且沿着垂直于所述衬底的上表面的第二线居中，其中，所述第二线从所述第一线横向偏移非零距离；

蚀刻位于所述第一开口和所述第二开口的交点正下方的所述上部层间介电层以限定顶部电极导通孔；以及

用导电材料填充所述顶部电极导通孔。