[发明专利]一种高温稳定相碳化物陶瓷增强的碳化硅涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201910669006.0 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112239367A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;吴琼 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 稳定 碳化物 陶瓷 增强 碳化硅 涂层 及其 制备 方法 | ||
1.一种高温稳定相碳化物陶瓷增强的碳化硅涂层，基体为C/C复合材料或石墨材料，其特征在于涂层结构从基体开始由内向外依次为SiC颗粒增强碳化硅涂层、ZrC颗粒增强碳化硅涂层、HfC颗粒增强碳化硅涂层、TaC颗粒增强碳化硅涂层，所述的碳化物颗粒粒径为0.01μm～0.5μm，纯度大于99％，碳化物颗粒的体积分数为5～25％，所述的各种碳化物颗粒增强碳化硅涂层厚度为1μm～100μm。
2.一种高温稳定相碳化物陶瓷增强的碳化硅涂层的制备方法，其特征在于包括如下顺序的步骤：
(1)将C/C复合材料或石墨坯体表面打磨抛光后用无水乙醇超声清洗，再进行烘干处理；
(2)将SiC微粉均匀敷在基体表面，采用化学气相沉积方法沉积β-SiC涂层，沉积条件如下：以三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积温度800～1200℃；
(3)将ZrC微粉均匀敷在(2)所得样品表面，采用化学气相沉积方法沉积β-SiC涂层，沉积条件如下：以三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积温度900～1100℃；
(4)将HfC微粉均匀敷在(3)所得样品表面，采用化学气相沉积方法沉积β-SiC涂层，沉积条件如下：以三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积温度800～1300℃；
(5)将TaC微粉均匀敷在(4)所得样品表面，采用化学气相沉积方法沉积β-SiC涂层，沉积条件如下：以三氯甲基硅烷为前驱体，氩气为稀释气，氢气为载气，沉积温度800～1200℃。
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