[发明专利]一种高效去除硅中硼和磷的方法在审
| 申请号： | 201910669667.3 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110228810A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李彦磊;耿晓菊;刘江峰;涂友超 | 申请（专利权）人： | 信阳师范学院 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人： | 张立强 |
| 地址： | 464000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 盐酸浸泡 硅片 初晶 熔体 合金 凝固 混合熔炼 用水清洗 高纯铝 杂质硼 烘干 冷却 冶金级硅 熔炼 工业硅 杂质磷 能耗 | ||
1.一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A.将冶金级硅、高纯铝和元素I混合熔炼，得到熔体I；
步骤B.将熔体I冷却后得到凝固的合金I；
步骤C.将凝固的合金I经盐酸浸泡，得到初晶硅片I，将初晶硅片I粉碎成颗粒后再用盐酸浸泡，然后用去离子水清洗颗粒并烘干，得到去除杂质硼的硅；
步骤D.将去除杂质硼的硅与高纯铝、元素II混合熔炼，得到熔体II；将熔体II冷却后得到凝固的合金II；
步骤E. 将凝固的合金II经盐酸浸泡，得到初晶硅片II，将初晶硅片II粉碎成颗粒后再用盐酸浸泡，然后用去离子水清洗颗粒并烘干，得到去除杂质磷的硅；
所述元素I为高纯铪，所述元素II为高纯钙和高纯镁中的一种或两种。
2.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤A中熔体I的组成按摩尔百分比为：冶金级硅30～50%，元素I 0.1～1%，其余为高纯铝。
3.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤D中熔体II的组成按摩尔百分比为：硅30～50%，元素II 0.1～1%，其余为高纯铝。
4.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤A和步骤D中的熔炼温度为1200～1300℃，熔炼时间为2～3h，升温速率为1～5K/min。
5.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤B和步骤D中的冷却为以0.5～1K/min的速率从熔炼的温度降温至25～30℃。
6.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述盐酸浸泡时采用的是体积百分数为50%的盐酸，温度为50℃，浸泡时间为24～48h。
7.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤C和步骤E中的烘干温度为50～70℃。
8.根据权利要求1所述的一种高效去除硅中硼和磷的方法，其特征在于，所述步骤C和步骤E中颗粒的粒度＜10μm。
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