[发明专利]TFT器件及其制备方法、TFT阵列基板在审
| 申请号： | 201910669734.1 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110416314A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 信号过孔 缓冲层 铜离子 遮光层 阻挡层 氟系 制备 阈值电压漂移 刻蚀阻挡层 性能稳定性 氧化性气体 阻挡金属层 电性连接 氧化性气 金属层 体干 源层 源极 增设 扩散 | ||
1.一种TFT器件，其特征在于，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的遮光层；所述遮光层包括叠层设置在所述衬底基板上的金属层和阻挡层，所述阻挡层用于阻挡所述金属层中铜离子向远离所述衬底基板的方向上扩散到所述TFT器件的有源层中。
2.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述阻挡层包括叠层设置在所述金属层上的扩散阻挡层和刻蚀阻挡层。
3.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括钼、钛和钽中一种或两种以上的材料。
4.根据权利要求2所述的TFT器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为铟镓锌氧化物或铟锡氧化物。
5.根据权利要求4所述的TFT器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为铟镓锌氧化物，所述刻蚀阻挡层为导体化后的导电层。
6.根据权利要求1所述的TFT器件，其特征在于，所述TFT器件中层间介质层与缓冲层上设有对应于所述遮光层上方的信号过孔，所述TFT器件中源极通过所述信号过孔和所述阻挡层电性连接。
7.一种TFT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S10、提供衬底基板；
步骤S20、在所述衬底基板上叠层制备金属层、阻挡层，形成遮光层。
8.根据权利要求7所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S20中，所述方法还包括：
步骤S201、在所述金属层上制备扩散阻挡层；
步骤S202、在所述扩散阻挡层上制备刻蚀阻挡层。
9.根据权利要求8所述的TFT器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为铟镓锌氧化物，对所述刻蚀阻挡层进行导体化处理，降低金属氧化物半导体材料中的氧元素含量，使金属氧化物半导体材料的电阻率下降，变为导体。
10.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板包括权利要求1至6任一所述的TFT器件。
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