[发明专利]包括噪声阻挡结构的图像感测装置

权利要求书

1.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：

半导体基板，该半导体基板被构造为支撑多个图像像素和逻辑电路，所述多个图像像素在检测到入射光时生成信号，所述逻辑电路被配置为处理由所述图像像素生成的所述信号；以及

噪声阻挡结构，该噪声阻挡结构设置在所述半导体基板处，并且形成为围绕所述逻辑电路，

其中，所述噪声阻挡结构包括：

第一阻挡结构，该第一阻挡结构包括彼此间隔开的多个部分，所述多个部分中的每一个成一条线延伸而没有任何弯曲部分，以及

第二阻挡结构，该第二阻挡结构设置在所述第一阻挡结构的所述多个部分之间并且包括与所述第一阻挡结构的所述多个部分局部地交叠的部分。

2.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括掩埋在所述半导体基板中形成的沟槽中的绝缘材料。

3.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构具有L形状。

4.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构的所述多个部分被布置为形成包括不存在所述第一阻挡结构的开口的多边形带形状。

5.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构包括金属材料和气隙。

6.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区域中。

7.根据权利要求6所述的图像感测装置，该图像感测装置还包括：

N阱区域，该N阱区域形成为围绕所述P阱区域的外壁。

8.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括多个部分，所述多个部分中的每一个部分形成在所述第一阻挡结构的多个部分中的相邻两个部分之间，并且所述第一阻挡结构的多个部分中的一个和所述第二阻挡结构的多个部分中的一个交替地彼此联接。

9.根据权利要求1所述的图像感测装置，其中，所述逻辑电路形成在所述半导体基板的下部。

10.一种图像感测装置，该图像感测装置包括：

半导体基板，该半导体基板被配置为包括图像像素和至少一个逻辑电路区域，所述图像像素在检测到入射光时生成信号，所述至少一个逻辑电路区域处理从所述图像像素生成的所述信号；以及

噪声阻挡结构，该噪声阻挡结构设置在所述半导体基板处，

其中，所述噪声阻挡结构包括：

第一阻挡结构，该第一阻挡结构不连续地围绕所述至少一个逻辑电路区域，

一个或更多个开口，该一个或更多个开口沿着所述第一阻挡结构的边界设置，以及

第二阻挡结构，该第二阻挡结构设置在所述一个或更多个开口处并与所述第一阻挡结构交叠。

11.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括掩埋在所述半导体基板中形成的沟槽中的绝缘材料。

12.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构具有屏障形状，或者所述第二阻挡结构具有L形状。

13.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构包括在彼此不同的方向上延伸的至少两个分立部分。

14.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构包括金属材料和气隙。

15.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第二阻挡结构包括分别设置在所述开口处的多个部分。

16.根据权利要求10所述的图像感测装置，其中，所述第一阻挡结构和所述第二阻挡结构形成在所述半导体基板的P阱区域中。