[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

有源图案，在所述衬底上沿第一方向延伸；

场绝缘膜，围绕所述有源图案的侧壁的一部分；

第一栅结构，在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；

第二栅结构，与所述第一栅结构间隔开，并在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸；以及

第一器件隔离膜，在所述第一栅结构和所述第二栅结构之间，

其中：

所述第一栅结构的面向所述第一器件隔离膜的侧壁包括相对于所述有源图案的上表面具有锐角的第一倾斜表面，并且

所述第一器件隔离膜的最下表面低于所述场绝缘膜的最上表面或与所述场绝缘膜的最上表面基本上共面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述有源图案包括在所述第一栅结构和所述第二栅结构之间的分离沟槽，并且

所述第一器件隔离膜的下部填充所述分离沟槽。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一倾斜表面与所述第一器件隔离膜直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一倾斜表面包括相对于所述有源图案的上表面具有第一锐角的第一表面以及具有与所述第一锐角不同的第二锐角的第二表面。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅结构的面向所述第一器件隔离膜的侧壁包括相对于所述有源图案的上表面具有锐角的第二倾斜表面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述有源图案包括通过所述场绝缘膜分离的第一鳍型图案和第二鳍型图案，并且

所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案之间的所述场绝缘膜围绕所述第一器件隔离膜的下部。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中：

所述有源图案形成在NMOS区域上，

所述场绝缘膜包括氧化硅，并且

所述第一器件隔离膜包括氮化硅。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三栅结构，与所述第一栅结构间隔开，所述第二栅结构位于所述第一栅结构与所述第三栅结构之间，所述第三栅结构在所述有源图案和所述场绝缘膜上沿第二方向延伸；以及

第二器件隔离膜，在所述第二栅结构和所述第三栅结构之间，

其中所述第二器件隔离膜的最下表面低于所述场绝缘膜的最上表面或与所述场绝缘膜的最上表面基本上共面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述第一器件隔离膜包括不与所述场绝缘膜重叠的第一部分以及与所述场绝缘膜重叠的第二部分，并且

所述第一部分的下表面低于所述第二部分的下表面。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的有源图案，所述有源图案包括分离沟槽；

器件隔离膜，填充所述分离沟槽；

所述有源图案中的源/漏区；以及

栅结构，在所述器件隔离膜和所述源/漏区之间在所述有源图案上与所述有源图案相交，

其中，所述栅结构的面向所述器件隔离膜的侧壁包括相对于所述有源图案的上表面具有锐角的第一倾斜表面。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中：

所述栅结构包括所述有源图案上的栅绝缘膜、所述栅绝缘膜上的栅电极以及所述栅电极的侧壁上的栅间隔物，并且

所述栅绝缘膜沿着由所述栅间隔物限定的栅沟槽的侧壁和下表面延伸。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述栅间隔物限定所述第一倾斜表面的至少一部分。