[发明专利]磁场感测装置

权利要求书

1.一种磁场感测装置，其特征在于，包括：

至少一漩涡型磁电阻，包括：

钉扎层；

受钉扎层，配置于所述钉扎层上；

间隔层，配置于所述受钉扎层上；以及

圆形自由层，配置于所述间隔层上，且具有漩涡形磁化方向分布；以及

至少一磁化设定元件，配置于所述至少一漩涡型磁电阻的一侧，其中所述至少一磁化设定元件交替地通电与不通电，当所述至少一磁化设定元件不通电时，所述圆形自由层的漩涡形磁化方向分布随着外在磁场而变化，以达到对所述外在磁场的感测；当所述至少一磁化设定元件通电时，所述至少一磁化设定元件所产生的磁场改变了所述圆形自由层的漩涡形磁化方向分布，并使所述圆形自由层达到磁饱和。

2.根据权利要求1所述的磁场感测装置，还包括：

基板，其中所述至少一磁化设定元件配置于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖在所述至少一磁化设定元件上，其中所述漩涡型磁电阻配置于所述第一绝缘层上；以及

第二绝缘层，覆盖在所述漩涡型磁电阻上。

3.根据权利要求1所述的磁场感测装置，还包括：

基板，其中所述漩涡型磁电阻配置于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖在所述漩涡型磁电阻上，其中所述磁化设定元件配置于所述第一绝缘层上；以及

第二绝缘层，覆盖在所述磁化设定元件上。

4.根据权利要求1所述的磁场感测装置，其中所述至少一磁化设定元件包括第一磁化设定元件与第二磁化设定元件，所述磁场感测装置还包括：

基板，其中所述第一磁化设定元件配置于所述基板上；

第一绝缘层，覆盖在所述第一磁化设定元件上，其中所述漩涡型磁电阻配置于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，覆盖在所述漩涡型磁电阻上，其中所述第二磁化设定元件配置于所述第二绝缘层上；以及

第三绝缘层，覆盖在所述第二磁化设定元件上。

5.根据权利要求1所述的磁场感测装置，其中所述至少一漩涡型磁电阻为电性连接成惠斯登电桥的多个漩涡型磁电阻，当所述多个漩涡型磁电阻处于感测所述外在磁场的状态时，所述惠斯登电桥输出对应于所述外在磁场的差分信号。

6.根据权利要求5所述的磁场感测装置，其中所述惠斯登电桥电性连接至运算器，当所述多个漩涡型磁电阻处于其圆形自由层处于磁饱和的状态时，所述惠斯登电桥输出空信号，所述运算器用以将对应于所述外在磁场的所述差分信号减去所述空信号，以得到净输出信号。

7.根据权利要求5所述的磁场感测装置，其中所述多个漩涡型磁电阻包括第一漩涡型磁电阻、第二漩涡型磁电阻、第三漩涡型磁电阻及第四漩涡型磁电阻，所述第一漩涡型磁电阻电性连接至所述第三漩涡型磁电阻及所述第四漩涡型磁电阻，所述第二漩涡型磁电阻电性连接至所述第三漩涡型磁电阻及所述第四漩涡型磁电阻，所述第一漩涡型磁电阻的钉扎方向相同于所述第二漩涡型磁电阻的钉扎方向，所述第三漩涡型磁电阻的钉扎方向相同于所述第四漩涡型磁电阻的钉扎方向，且所述第一漩涡型磁电阻的钉扎方向相反于所述第三漩涡型磁电阻的钉扎方向。

8.根据权利要求7所述的磁场感测装置，其中所述至少一磁化设定元件通电时在所述第一漩涡型磁电阻至第四漩涡型磁电阻处所产生的磁场的方向垂直于所述第一漩涡型磁电阻至第四漩涡型磁电阻的钉扎方向。

9.根据权利要求1所述的磁场感测装置，其中所述间隔层为非磁性金属层，而所述漩涡型磁电阻为巨磁电阻。

10.根据权利要求1所述的磁场感测装置，其中所述间隔层为绝缘层，而所述漩涡型磁电阻为穿隧磁电阻。

11.根据权利要求1所述的磁场感测装置，其中所述至少一磁化设定元件为导体。