[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

第一工序，其在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象形成第一膜；

第二工序，其在形成有所述第一膜的所述处理对象形成蚀刻速率比所述第一膜低的第二膜，所述第二膜根据开口部的尺寸而开口部的侧面的膜厚不同；和

蚀刻工序，其在规定的处理条件下从所述第二膜之上进行蚀刻，直至在所述处理对象的至少一部分所述第一膜的一部分被除去为止。

2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第一工序对沉积在所述处理对象的膜实施改性处理，来形成蚀刻速率比所述第二膜高的所述第一膜。

3.如权利要求2所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述改性处理中，在规定的处理条件下将所述膜暴露于等离子体。

4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第二工序中，对所述第一膜实施改性处理以将其改性，来形成所述第二膜。

5.如权利要求4所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述改性处理中，在尺寸越大的开口部被等离子体改性的从表面起的深度或者改性程度越大的处理条件下，将所述第一膜暴露于等离子体。

6.如权利要求1至5中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述蚀刻工序中，在所述处理对象的至少一部分所述第一膜露出了的时刻，将所述规定的处理条件从第一处理条件改变为第二处理条件。

7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

反复执行所述第一工序、所述第二工序和所述蚀刻工序，直至判断为满足规定条件为止。

8.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：

沉积工序，其在如下处理条件下在形成有具有规定图案的多个开口部的处理对象沉积膜，所述处理条件为在随着远离该处理对象而蚀刻速率变低且根据开口部的尺寸而在开口部的侧面的沉积量不同；和

蚀刻工序，其执行沉积有所述膜的处理对象的蚀刻。

9.如权利要求8所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述沉积工序中，使供给的多种气体的比例逐渐变化而沉积蚀刻速率连续地变化的所述膜。

10.如权利要求9所述的等离子体处理方法，其特征在于：

在所述沉积工序中，使供给的气体的含氧量逐渐增加。

11.如权利要求8至10中任一项所述的等离子体处理方法，其特征在于：

反复执行所述沉积工序和所述蚀刻工序，直至判断为满足规定条件为止。

12.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

存储部，其存储执行权利要求1至11中任一项所述的等离子体处理方法的程序；和

进行控制以执行该程序的控制部。