[发明专利]半导体装置结构

权利要求书

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一第一阱，设置于该半导体基底内，具有一第一导电型态；

一栅极结构，设置于该半导体基底的该第一阱上；

一第一掺杂区，镶入于该第一阱内，具有与该第一导电型态不同的一第二导电型态；

一第二阱，具有该第二导电型态，其中该第二阱与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧；

多个第一金属电极，设置于该半导体基底的该第一掺杂区上；以及

多个第二金属电极，其中一部分的所述多个第二金属电极设置于该半导体基底的该第二阱上。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该部分的所述多个第二金属电极与该第二阱之间形成肖特基接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，所述多个第一金属电极与该第一掺杂区之间形成欧姆接触。

4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：

一第二掺杂区，具有该第二导电型态，该第二掺杂区与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧，且该第二掺杂区接触该第一阱及该第二阱。

5.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：

一第三掺杂区，具有该第二导电型态，该第三掺杂区与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧，且该第三掺杂区与该第二掺杂区通过该第二阱隔开。

6.如权利要求4所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一掺杂区、该第一阱及该第二掺杂区构成一第一双极性结，该第一阱、该第二阱及该部分的所述多个第二金属电极构成一第二双极性结。

7.如权利要求6所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一双极性结为NPN结，该第二双极性结为PNP结。

8.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：

一第四掺杂区，具有该第二导电型态，该第四掺杂区与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧，其中另一部分的所述多个第二金属电极设置于该半导体基底的该第四掺杂区上。

9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其特征在于，该另一部分的所述多个第二金属电极与该第四掺杂区之间形成欧姆接触。

10.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，所述多个第一金属电极电连接至一低压端，所述多个第二金属电极电连接至一高压端。

11.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一第一阱，设置于该半导体基底内，具有一第一导电型态；

一栅极结构，设置于该半导体基底的该第一阱上；

一第一掺杂区，镶入于该第一阱内，具有与该第一导电型态不同的一第二导电型态；

一第二掺杂区，具有该第二导电型态，该第二掺杂区与该第一掺杂区位于该栅极结构的相对两侧；

一第二阱，具有该第二导电型态，其中该第二阱与该第一阱及该第二掺杂区接触；

一第一金属电极，设置于该半导体基底的该第一掺杂区上；以及

一第二金属电极，设置于该半导体基底的该第二阱上；

其中，该第一掺杂区、该第一阱及该第二掺杂区形成一第一双极性结，该第一阱、该第二阱及该第二金属电极形成一第二双极性结。

12.如权利要求11所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一双极性结为NPN结，该第二双极性结为PNP结。

13.如权利要求11所述的半导体装置结构，其特征在于，更包括：

一第三掺杂区，具有该第二导电型态，该第三掺杂区与该第二掺杂区通过该第二阱隔开。