[发明专利]一种强激光薄膜及其制备方法、应用有效
申请号: | 201910671089.7 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110308501B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 邓雪然;雷向阳;杨伟;惠浩浩;马红菊;王天宇;张清华;张剑锋;张帅;高锐 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
主分类号: | G02B1/04 | 分类号: | G02B1/04;G02B1/10;C09D183/06;C09D183/07 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 杨浩林 |
地址: | 621900*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种强激光薄膜的制备方法,其特征在于,包括:
(1)将含有环氧基团或甲基丙烯酸酯基团的硅烷类物质与去离子水和乙醇混合,得到预聚体溶胶;其中,硅烷类物质、去离子水和乙醇的摩尔比为(1-1.2):(3-6):(10-12),所述混合条件为:在100℃-120℃下反应1.5h-2.5h;
(2)向所述预聚体溶胶中加入紫外光引发剂混合,得到紫外固化溶胶;其中,所述紫外光引发剂的加量为体系总质量的10%-20%;
(3)将所述紫外固化溶胶涂覆于基体表面,涂覆完成后,在紫外线下辐照,得到紫外固化膜;
(4)将纳米SiO2溶胶涂覆于所述紫外固化膜上,晾置,制得所述激光薄膜。
2.根据权利要求1所述的强激光薄膜的制备方法,其特征在于,所述硅烷类物质为γ-(2,3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。
3.根据权利要求1所述的强激光薄膜的制备方法,其特征在于,所述紫外光引发剂为2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-吗啉基1-丙酮、(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦或1-羟基环己基苯基甲酮。
4.根据权利要求1-3任一项所述的强激光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,涂覆方式采用提拉涂膜法涂覆,提拉速度为2mm/min-3mm/min;紫外线强度为5-6W/cm2,辐照时间为90s-150s。
5.根据权利要求4所述的强激光薄膜的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,涂覆方式采用提拉涂膜法涂覆,提拉速度为1mm/min-2mm/min;所述纳米SiO2溶胶中纳米SiO2的粒径为60nm-100nm。
6.权利要求1-5任一项所述的制备方法制备得到的强激光薄膜。
7.权利要求6所述的强激光薄膜在透射基频、倍频以及吸收三倍频激光中的应用。
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