[发明专利]一种N型晶体硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种N型晶体硅电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

A、对制绒后的N型晶体硅片进行单面硼掺杂；

B、将硼掺杂后的N型晶体硅片的硼掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO₃、H₂SO₄中的至少一种；

C、在N型晶体硅片的另一面生长氧化物薄层；

D、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂磷元素；

E、将N型晶体硅片上的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理，所述第二溶液包括HF、HNO₃、H₂SO₄中的至少一种；

F、将经第二溶液处理后的N型晶体硅片放入碱性溶液中处理；

G、将经碱性溶液处理后的N型晶体硅片的表面上的磷硅玻璃和硼硅玻璃去除；

H、将N型晶体硅片的表面氧化；

I、在N型晶体硅片上的硼扩散面沉积钝化减反射层，在磷扩散面沉积钝化层；

J、进行金属化工艺形成正面金属电极和背面金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，先在N型晶体硅片的硼掺杂面形成水膜，然后以漂浮的方式放入第一溶液中处理；所述步骤E中，先在N型晶体硅片的磷掺杂面形成水膜，然后漂浮的方式放入第二溶液中处理。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B具体实施如下：在N型晶体硅片的硼掺杂面形成水膜，采用链式传输装置传输N型晶体硅片，使N型晶体硅片的硼掺杂面向上并以漂浮的方式通过第一溶液。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶液为HF、HNO₃、H₂SO₄和去离子水组成的混合溶液，所述链式传输装置的传输速度为1.8～2.2m/s。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤E具体实施如下：在N型晶体硅片的磷掺杂面形成水膜，采用链式传输装置传输N型晶体硅片，使N型晶体硅片的磷掺杂面向上并以漂浮的方式通过第二溶液。

6.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二溶液为HF和去离子水构成的溶液，HF体积浓度为3～7％，所述链式传输装置的传输速度为1.6～2.0m/s。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤F中的碱性溶液为体积浓度为2～5％的KOH溶液。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C中的氧化物薄层为氧化硅薄层；所述步骤D中，在沉积多晶硅层的过程中或在沉积多晶硅层后掺杂磷元素。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤H具体实施如下：将N型晶体硅片进行氧化，再去除表面的氧化物，然后将N型晶体硅片的表面氧化。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤I中，在N型晶体硅片上的硼扩散面依次沉积氧化铝层和氮化硅层，在N型晶体硅片上的磷扩散面上沉积氮化硅层。