[发明专利]一种P型晶体硅电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型晶体硅电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

A、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光，保留正面的绒面；

B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；

C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层；

D、利用离子注入技术对P型晶体硅片背面进行III族元素掺杂；

E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面形成水膜，采用链式传输装置，水膜面向上，以漂浮的方式通过溶液，所述溶液为HF和去离子水构成的溶液，HF体积浓度为3～7％，所述链式传输装置的传输速度为1.8～2.2m/s；

F、利用离子注入技术对P型晶体硅片正面进行磷掺杂；

G、对离子注入后的P型晶体硅片进行清洗，清洗剂包括氨水、HCl、HF、HNO₃、臭氧、双氧水中、去离子水的至少一种；

H、对P型晶体硅片进行退火；

I、对P型晶体硅片进行清洗，清洗剂包括氨水、HCl、HF、HNO₃、臭氧、双氧水中、去离子水的至少一种；

J、将P型晶体硅片的表面氧化；

K、在P型晶体硅片上的III族扩散面沉积钝化层和减反射层，在磷扩散面沉积减反射层；

L、进行金属化工艺形成正面金属电极和背面金属电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤H中，利用退火管对P型硅片进行退火。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B中的氧化物薄层为氧化硅薄层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，制绒后的P型晶体硅片，单面形成水膜，水膜面向上，以漂浮的方式通过HF、HNO₃、H₂SO₄和去离子水的混合溶液。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，采用链式传输装置输送P型晶体硅片，传输带速1.8～2.2m/s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤J具体实施如下：将P型晶体硅片进行氧化，在去除表面的氧化物，再将P型晶体硅片的表面氧化。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤K中，在P型晶体硅片上的III族扩散面依次沉积氧化铝层和氮化硅层，在P型晶体硅片上的磷扩散面上沉积氮化硅层。