[发明专利]一种用多晶硅废料生产的铜溜槽用复合陶瓷相防渗耐磨材料

权利要求书

1.一种用多晶硅废料生产的铜溜槽用复合陶瓷相防渗耐磨材料的制备方法，其特征在于：原始料的加入重量份数为： 经过氮化处理的多晶硅工业废料沉淀后的废渣料20—27份，粒度分布在1—0mm、≤0.088mm，SiC 60—67份，结合剂12—16份，结合剂为硅微粉和a-A1₂O₃微粉中的一种或两种，硅微粉粒度小于5μm，a- A1₂O₃粉的粒度小于5μm，外加复合添加剂，复合添加剂加入量为原始料总重量的 12 — 16 %； 外加水，水加入量为原始料总重量的5—10%；制备方法为：步骤一、先把多晶硅工业废料沉淀物烘干，磨细后，放入氮化炉在1100-1300℃保温24小时进行氮化处理，得到经过氮化处理的废渣料，废料中游离的Si能有效的氮化成α- Si₃N₄相以及少量β-Si₃N₄相；氮化处理后的废渣料包括，氮化硅含量55-65%，碳化硅含量15-25%；步骤二、取经过氮化处理的废渣料重量份数20—27份、 碳化硅原料重量份数60—67份、结合剂重量份数12—16份，放入强制搅拌机预混10-15min，将混合好的料加入水，水加入量为原始料总重量的5—10%，复合添加剂加入量为原始料总重量的12 —16 %；继续搅拌5-10min，将原料制成混凝土浆体；步骤三、采用振动减压成型的成型方式，即将制成的混凝土浆体注入事先组装好的模具内，进行高频振动和真空处理，除去气泡；步骤四、湿法保温养护，温度不低于5℃，待凝固成型后脱模；步骤五、将脱出的素坯放在温度不低于5℃的环境中继续湿法养护；步骤六、养护后，进行干燥烘干，烘干温度常温—300℃，时间大于24小时；得到了具有SiC与Si₃N₄交织的立体网状晶相结构的铜溜槽用复合陶瓷相防渗材料。

2.根据权利要求1所述的一种用多晶硅废料生产的铜溜槽用复合陶瓷相防渗耐磨材料的制备方法，其特征在于：硅微粉的SiO₂含量大于92%。

3. 根据权利要求1所述的一种用多晶硅废料生产的铜溜槽用复合陶瓷相防渗耐磨材料的制备方法，其特征在于： a- A1₂O₃粉的A1₂O₃含量大于98%。