[发明专利]一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器及其驱动方法

权利要求书

1.一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，包括APD芯片和制冷器，其特征在于，还包括雪崩信号处理芯片，所述APD芯片输出端与所述雪崩信号处理芯片的信号输入端电连接，雪崩信号处理芯片的输出端输出经处理后的雪崩信号，所述APD芯片与所述制冷器的冷端面近距离贴合，所述雪崩信号处理芯片用于抑制所述APD芯片输出的原始雪崩信号中门控信号和二次及以上谐波信号，对雪崩信号进行滤波以及低噪声放大；所述雪崩信号处理芯片集成了滤波器以及低噪声放大器的功能，APD芯片、制冷器以及雪崩信号处理芯片整体封装于一个壳体中。

2.根据权利要求1所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括APD驱动芯片，所述APD芯片的输入端与APD驱动芯片电连接，APD驱动芯片也封装于所述壳体中。

3.根据权利要求2所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括陶瓷基板，所述APD芯片设于所述陶瓷基板的制冷区域，所述雪崩信号处理芯片、APD驱动芯片设于所述陶瓷基板的非制冷区域，陶瓷基板也封装于所述壳体中。

4.根据权利要求3所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括热敏电阻，所述热敏电阻设于所述陶瓷基板的制冷区域，靠近APD芯片，热敏电阻也封装于所述壳体中。

5.根据权利要求4所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，还包括温度控制电路，所述温度控制电路包括温度采集ADC、处理器以及制冷器驱动，温度采集ADC并联在热敏电阻两端，所述制冷器驱动与所述制冷器相连，所述处理器一端与温度采集ADC相连，另一端与制冷器驱动相连，温度控制电路设于所述陶瓷基板的非制冷区域，也封装于所述壳体中。

6.根据权利要求5所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述陶瓷基板的制冷区域和非制冷区域之间进行隔热处理。

7.根据权利要求6所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述制冷器只设置在陶瓷基板的制冷区域。

8.根据权利要求7所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述陶瓷基板的非制冷区域单独进行温度控制。

9.根据权利要求1至8任一项所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述雪崩信号处理芯片为LTCC芯片。

10.根据权利要求9所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述LTCC芯片包括第一滤波器、第二滤波器、第一低噪声放大器以及第二低噪声放大器，所述第一滤波器、第一低噪声放大器、第二低噪声放大器以及第二滤波器通过电容交流耦合的方式顺次连接，所述第一低噪声放大器的输入端通过串联的第一电感和第一电阻接地，所述第二低噪声放大器的输入端通过串联的第二电感和第二电阻接地，所述第一低噪声放大器的输出端通过串联的第三电感和第三电阻接供电电压Vcc，所述第二低噪声放大器的输出端通过串联的第四电感和第四电阻接供电电压Vcc。

11.根据权利要求10所述的一种集成滤波放大芯片的雪崩光电探测器，其特征在于，所述LTCC芯片还包括第一电容、第二电容、第三电容以及第四电容，所述第一电容一端接第一电感和第一电阻之间的结点，另一端接地，所述第二电容一端接所述第二电感和第二电阻之间的结点，另一端接地，所述第三电容的一端接第三电感和第三电阻之间的结点，另一端接地，所述第四电容的一端接第四电感和第四电阻之间的结点，另一端接地。