[发明专利]温控校正电路及温控校正方法

权利要求书

1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，

所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。

2.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，

所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；

所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；

所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。

3.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，

所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与地连接，所述第二PNP三极管的基极与所述第二PNP三极管的集电极连接；

所述第五P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第五P沟道场效应管的源极与所述第四N沟道场效应管的漏极连接，所述第四N沟道场效应管的漏极与所述第四N沟道场效应管的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极与所述第三N沟道场效应管的栅极连接，所述第四N沟道场效应管的源极与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；

所述第六P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第六P沟道场效应管的源极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；

所述第六P沟道场效应管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器的输出端与第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与地连接，所述第四电阻的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻的另一端与第三参考输出端连接。

4.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电压生成模块包括负温比电压生成电阻。