[发明专利]一种芯片的制作方法

权利要求书

1.一种芯片的制作方法，其特征在于，包括：

于基片表面开设凹陷部；

对所述基片覆盖种子层，于芯片图形区制作芯片图形并于所述凹陷部的侧壁制作侧面图形；所述芯片图形区位于所述基片的表面并位于所述凹陷部的口部的边缘，每个所述凹陷部均对应设置至少一个所述芯片图形区；

将多余的所述种子层去除，切割得到所述芯片，以使每个所述芯片的所述芯片图形区与所述凹陷部的侧壁一一对应。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述基片覆盖所述种子层包括：对所述基片的表面和所述凹陷部的侧壁同时覆盖所述种子层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括对所述芯片图形区和所述凹陷部的侧壁的所述种子层进行加厚处理。

4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述基片的厚度小于或等于0.6mm；所述种子层为金层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述凹陷部的口部具有过渡段，所述过渡段的内壁连接于所述基片的表面和所述凹陷部的侧壁之间；由所述凹陷部的口部指向其内部的方向，所述过渡段的内径递减。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述种子层为膜系层；对所述基片覆盖所述种子层包括：对所述基片的表面和所述过渡段的内壁覆盖所述种子层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，于所述芯片图形区制作所述芯片图形包括：制作所述芯片图形并对所述芯片图形区进行金层加厚处理，再将所述芯片图形区和所述过渡段二者之外的区域的所述种子层的膜层去除。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，于所述凹陷部的侧壁制作所述侧面图形包括：将制作好所述芯片图形的所述基片沿所述凹陷部切割以使所述凹陷部的侧壁暴露出来，对所述凹陷部的侧壁覆盖所述种子层并制作所述侧面图形得到具有膜系的图形结构，并对所述凹陷部的侧壁进行金层加厚处理。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，将多余的所述种子层去除包括：将所述芯片图形区、所述过渡段和所述凹陷部的侧壁三者之外的区域的Ti层去除。

10.根据权利要求1～9任意一项所述的制作方法，其特征在于，每个所述凹陷部均对应设置两个所述芯片图形区，两个所述芯片图形区位于所述凹陷部的相对两侧边缘，所述凹陷部的相对两侧的侧壁同两个所述芯片图形区一一对应。