[发明专利]一种efuse阵列在审
申请号: | 201910673881.6 | 申请日: | 2019-07-24 |
公开(公告)号: | CN110400596A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 晏颖;金建明 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;G11C17/18 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制管 熔丝 矩阵 单元阵列结构 源极连接 栅极连接 同一列 漏极 编程 芯片 | ||
1.一种efuse阵列,其特征在于,至少包括:
由efuse单元构成的N*N矩阵;所述efuse单元由一个efuse熔丝和一个控制管组成;所述N*N个efuse熔丝的一端相互连接构成所述efuse阵列的Fsource端;
每个efuse单元中的efuse熔丝的另一端与该efuse单元中的所述控制管的漏极连接;
该N*N矩阵中同一行的所述控制管的栅极连接一路WL信号,同一列的所述控制管的源极连接一路SA模块和一个编程管。
2.根据权利要求1所述的efuse阵列,其特征在于:所述编程管为NMOS管。
3.根据权利要求2所述的efuse阵列,其特征在于:所述N*N矩阵中,同一列控制管的源极连接与所述编程管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的efuse阵列,其特征在于:所述编程管的源极接地,其栅极接一路BS信号。
5.根据权利要求4所述的efuse阵列,其特征在于:所述efuse阵列的操作包括编程操作和读取操作。
6.根据权利要求5所述的efuse阵列,其特征在于:所述efuse阵列编程操作时采用位模式。
7.根据权利要求5所述的efuse阵列,其特征在于:所述efuse阵列读取操作时采用字模式。
8.根据权利要求6所述的efuse阵列,其特征在于:所述efuse阵列编程操作时,所述Fsource端为编程电压VDDQ。
9.根据权利要求7所述的efuse阵列,其特征在于:所述efuse阵列读取操作时,所述Fsource端接地;所述BS信号接地。
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