[发明专利]TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板铜导线刻蚀废水的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

向铜刻蚀废水中加入催化剂，以催化所述铜刻蚀废水中的双氧水进行氧化反应，然后除去所述催化剂，得到第一处理液，其中，所述催化剂中含有过渡金属元素；所述催化剂为水溶性盐，或者所述催化剂为负载型催化剂；所述铜刻蚀废水中铜的含量为0.1wt%~0.5wt%，氨氮的含量为0.2wt%~1.5wt%；

调节所述第一处理液的pH为10~14，将所述第一处理液在40℃~90℃下进行汽提处理，得到汽提液和氨水，再将所述汽提液过滤，得到第二处理液和氧化铜；

向所述第二处理液中依次加入硝酸钙和可溶性碳酸盐，反应后过滤，得到滤液和滤渣；洗涤所述滤渣，得到硫酸钙；向所述滤液中加入硝酸，调节所述滤液的pH为2~3，以除去所述滤液中的所述可溶性碳酸盐，得到第三处理液；

将所述第三处理液蒸馏处理，得到馏出液和硝酸盐。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述过渡金属元素选自铁元素、铜元素、锰元素、钌元素、铑元素及钯元素中的至少一种。

3.根据权利要求1~2任一项所述的处理方法，其特征在于，所述催化剂加入的质量为所述铜刻蚀废水的质量的0.5%~2%。

4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述向铜刻蚀废水中加入催化剂的步骤之前，还包括调节所述铜刻蚀废水的pH为3~5的步骤。

5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述将所述第一处理液在40℃~90℃下进行汽提处理的步骤中，将所述第一处理液在60℃~80℃下进行汽提处理。

6.根据权利要求5所述的处理方法，其特征在于，所述洗涤所述滤渣的步骤中，采用质量分数为5%~10%的硝酸洗涤所述滤渣，且所述硝酸的加入量与所述滤渣的质量比为（2~3）:1。

7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述调节所述第一处理液的pH为10~14的步骤中，所用的试剂为氢氧化钠，所述可溶性碳酸盐为碳酸钠；

或者，所述调节所述第一处理液的pH为10~14的步骤中，所用的试剂为氢氧化钾，所述可溶性碳酸盐为碳酸钾。

8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述调节所述第一处理液的pH为10~14的步骤中，调节所述第一处理液的pH为11~13。