[发明专利]一种考虑交叉饱和电感的无位置传感器控制方法

权利要求书

1.一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一、不同的负载情况下，分别在d轴与q轴中注入高频方波电压，将响应电流进行采样并变换到静止坐标系，进而通过滤波器提取静止坐标系下的高频电流分量，根据相应注入电压的符号提取高频电流分量的包络线，并对包络线求和，得到含有直流分量的正余弦信号；

其中所述根据相应注入电压符号提取高频电流分量包络线的原则为：对每一时刻αβ轴高频电流分量都乘以对应采样时刻注入高频方波电压的符号或者对应采样时刻注入高频方波电压符号的相反数；

步骤二、将所述步骤一得到的正余弦信号通过一个高通滤波器滤除直流分量，将滤波后的正余弦信号通过一个锁相环提取相位信息；

步骤三、对编码器所输出的位置信号取正余弦函数，将上述步骤二中相同参数的高通滤波器和锁相环施加到所取的正余弦函数，进而提取到参考相位信息；

步骤四、将所述步骤二与步骤三中所得相位做差，若在d轴注入高频方波电压，则所得为相位角φ₁；若在q轴注入高频方波电压，则所得为相位角φ₂；由此得到与dq电流相对应的由交叉饱和电感相位角所导致的一组交叉饱和电感相位角；将上述过程在不同负载情况下重复实施，得到不同负载下由于交叉饱和电感相位角φ₁与φ₂所致的位置估计偏差θ_m/2；

步骤五、将上述步骤四所得不同负载情况下由交叉饱和电感相位角所致的转子位置估计偏差，在无位置控制算法中进行补偿，以抵消由于交叉饱和电感带来的位置偏差。

2.根据权利要求1所述的一种考虑交叉饱和电感的高频方波电压注入无位置传感器控制方法，其特征在于：所述步骤五中无位置控制算法中转子位置估计偏差补偿方法为：对观测器中含有转子位置信息的状态变量与进行补偿，根据一组交叉饱和电感相位角φ₁与φ₂所致的交叉饱和位置偏差θ_m/2，通过三角函数运算得到的补偿结果与提取补偿后的含有转子位置信息的状态变量与的相位，作为电机控制的转子位置信息。