[发明专利]陶瓷层与铜粉糊烧结体的积层体有效
| 申请号： | 201910674530.7 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110797186B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 古泽秀树 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/008 | 分类号： | H01G4/008;H01G4/12;H01G4/30;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 铜粉糊 烧结 积层体 | ||
1.一种积层体，其在陶瓷层积层有铜粉糊烧结体，且
在铜粉糊烧结体与陶瓷层的界面，
当利用STEM对界面在积层体的厚度方向夹着界面进行100nm扫描来观察，且将下述元素的特性X射线的浓度分布最大值的50atomic％的距离设为厚度时，具有来自铜粉表面处理剂的选自Si、Ti及Zr中的任意1种以上元素一共以5.8～15nm范围的厚度存在的部分。
2.根据权利要求1所述的积层体，其中，当利用STEM对铜粉糊烧结体与陶瓷层的界面在积层体的厚度方向夹着界面进行100nm扫描来观察时，
当将来自铜粉表面处理剂的选自Si、Ti及Zr中的任意1种以上元素的原子浓度的合计浓度设为Z％时，扫描范围中的Z的最大值为1～50％，其中，将来自铜粉糊烧结体的元素的原子浓度与来自陶瓷的元素的原子浓度的和设为100％。
3.根据权利要求1所述的积层体，其中，当利用STEM对铜粉糊烧结体与陶瓷层的界面在积层体的厚度方向夹着界面进行100～800nm扫描来观察时，
当将来自铜粉表面处理剂的选自Si、Ti及Zr中的任意1种以上元素的原子浓度的合计浓度设为Z％时，扫描范围中的Z的最大值为10～40％，其中，将来自铜粉糊烧结体的元素的原子浓度与来自陶瓷的元素的原子浓度的和设为100％。
4.根据权利要求1所述的积层体，其中，铜粉糊烧结体为不含玻璃料的铜粉糊的烧结体。
5.根据权利要求1所述的积层体，其中，铜粉糊烧结体为比表面积为1m2g-1以上的铜粉的糊的烧结体。
6.根据权利要求1所述的积层体，其中，陶瓷层为氧化铝层、以钛酸钡为主成分的层、CuNiZn的铁氧体粒子的烧结体层、氮化铝层或氮化硅层。
7.根据权利要求1所述的积层体，其中，陶瓷层的陶瓷除O以外的元素中原子浓度最高的元素为Si，次高的元素为Al。
8.一种铜-陶瓷复合体，其包含权利要求1至7中任一项所述的积层体。
9.一种电子零件，其具有权利要求1至7中任一项所述的积层体。
10.一种电子设备，其搭载有权利要求9所述的电子零件。
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