[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相对的非功能面，所述功能面上具有若干焊盘，所述焊盘表面上形成有金属凸块，所述功能面上还具有第一塑封层，所述第一塑封层覆盖所述金属凸块，所述第一塑封层中材料颗粒的尺寸小于后续形成的第二塑封层中材料颗粒的尺寸，所述金属凸块的顶部表面或者顶部和侧壁表面形成有隔离牺牲层，所述第一塑封层还覆盖所述隔离牺牲层；

提供载板；

将所述若干半导体芯片的非功能面粘合在载板上；

在所述载板上形成包覆所述半导体芯片的侧壁以及非功能面上的第一塑封层的第二塑封层；

通过化学机械研磨工艺平坦化去除所述载板上的部分所述第一塑封层和第二塑封层，暴露出所述隔离牺牲层表面；

采用刻蚀工艺去除金属凸块顶部表面上的所述隔离牺牲层，在所述第一塑封层中形成暴露出所述金属凸块的开口，因而通过前述所述的化学机械研磨工艺和刻蚀工艺两者相结合的工艺去除部分所述第一塑封材料层以及去除所述隔离牺牲层以在第一塑封层中形成暴露出所述金属凸块开口时，能更好的防止金属凸块产生松动或者从焊盘上脱落；

在所述平坦化后的第一塑封层和第二塑封层的表面上形成与金属凸块连接的外部接触结构；

剥离所述载板。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述半导体芯片的形成过程为：提供晶圆，所述晶圆上形成有若干半导体芯片，所述半导体芯片包括功能面，所述功能面上具有焊盘；在所述焊盘上形成金属凸块；形成覆盖所述金属凸块和功能面的第一塑封层；形成所述第一塑封层后，切割所述晶圆，形成若干分立的半导体芯片。

3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一塑封层和第二塑封层的材料为树脂，所述第一塑封层和第二塑封层的形成工艺为注塑或转塑工艺。

4.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述刻蚀工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。

5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述隔离牺牲层的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述外部接触结构包括位于所述平坦化后的第一塑封层和第二塑封层表面上与金属凸块连接的再布线层以及位于再布线层上与再布线层连接的外部接触件。

7.如权利要求6所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述再布线层和外部接触件的形成过程包括：在所述平坦化后的第一塑封层和第二塑封层表面上形成再布线层；在所述再布线层和平坦化后的第一塑封层和第二塑封层表面上形成绝缘层，所述绝缘层中形成暴露出再布线层部分表面的开口；在所述开口中形成外部接触件。

8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，在形成所述外部接触结构，还包括：剥离所述载板后，进行切割，形成若干分立的封装结构。