[发明专利]主动式RGB发光二极管显示器载板在审
申请号: | 201910676084.3 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN112289819A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 李蕙如 | 申请(专利权)人: | 李蕙如 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 郭化雨 |
地址: | 中国台湾新北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主动 rgb 发光二极管 显示器 | ||
本申请提供一种主动式RGB发光二极管显示器载板,其包括一基板、一电路层、多个晶体管芯片、一防焊层及多个发光二极管芯片,电路层包括一闸极电路、一源极电路及一汲极电路,晶体管芯片具有一闸极端、一源极端及一汲极端,闸极端及源极端分别贴装于闸极电路及源极电路,防焊层覆盖基板、电路层及晶体管芯片,防焊层具有多个第一导通孔及多个第二导通孔,第一、第二导通孔内形成有孔铜。各发光二极管芯片具有一N极电接点及一P极电接点,且第一导通孔的孔铜电性连接于汲极端与N极电接点之间,第二导通孔的孔铜则电性连接于汲极电路与P极电接点之间。
技术领域
本申请是有关于一种发光二极管显示器载板,特别是一种主动式发光二极管显示器载板。
背景技术
随着微发光二极管(mini LED)技术的逐渐发展,使得发光二极管显示器(LEDdisplay)的发展前景备受期待。
其中,发光二极管显示器依据驱动方式的差异可分为被动式驱动及主动式驱动两类。被动式驱动方式需要在基板上配置行列矩阵式的扫描电极和数据电极,并直接运用扫描信号来驱动各画数内的发光二极管芯片,但由于扫描电极与数据电极实行列矩阵式方式排列,电路配置复杂,导致被动式发光二极管显示器载板的层数通常达到六层、八层或更多层电路,导致加工成本上升。
另一方面,主动式驱动方式则是直接在玻璃或聚酰亚胺(PI)基板上通过溅镀方式形成多个薄膜晶体管,而可对各画素内的发光二极管芯片各别控制,虽然主动式发光二极管显示器通过设置薄膜晶体管的方式降低载板的层数,但以溅镀方式形成薄膜晶体管的制程费用仍然较高,而玻璃基材有易碎的特性,聚酰亚胺基板则成本较高,使得现有的主动式发光二极管显示器虽然较为轻薄,但仍有成本较高等其他缺失。
发明内容
有鉴于此,本申请的主要目的在于提供一种制作成本较低且载板层数少于被动式发光二极管显示器的主动式发光二极管显示器载板。
为了达成上述及其他目的,本申请提供一种主动式RGB发光二极管显示器载板,其包括一基板、一电路层、多个晶体管芯片、一防焊层及多个发光二极管芯片,电路层形成于基板上且包括一闸极电路、一源极电路及一汲极电路,各晶体管芯片则具有一闸极端、一源极端及一汲极端,该些晶体管芯片的闸极端及源极端分别贴装于电路层的闸极电路及源极电路并分别形成电性连接,防焊层覆盖基板、电路层及晶体管芯片,且防焊层具有多个第一导通孔及多个第二导通孔,该些第一、第二导通孔内形成有孔铜。各发光二极管芯片具有一N极电接点及一P极电接点,该些发光二极管芯片贴装于防焊层上,且该些第一导通孔的孔铜分别电性连接于该些晶体管芯片的汲极端与该些发光二极管芯片的N极电接点之间,该些第二导通孔的孔铜则分别电性连接于汲极电路与该些发光二极管芯片的P极电接点之间。
为了达成上述及其他目的,本申请提供一种主动式RGB发光二极管显示器载板,其包括一基板、一电路层、多个晶体管芯片、一防焊层及多个发光二极管芯片,电路层形成于基板上且包括一闸极电路、一源极电路及一汲极电路,各晶体管芯片则具有一闸极端、一源极端及一汲极端,该些晶体管芯片的闸极端及源极端分别贴装于电路层的闸极电路及源极电路并分别形成电性连接,防焊层覆盖基板、电路层及晶体管芯片,且防焊层具有多个第一导通孔及多个第二导通孔,该些第一、第二导通孔内形成有孔铜。各发光二极管芯片具有一P极电接点及一N极电接点,该些发光二极管芯片贴装于防焊层上,且该些第一导通孔的孔铜分别电性连接于该些晶体管芯片的汲极端与该些发光二极管芯片的P极电接点之间,该些第二导通孔的孔铜则分别电性连接于汲极电路与该些发光二极管芯片的N极电接点之间。
本申请通过将晶体管芯片内埋于防焊层内,再利用导通孔使贴装于防焊层表面的两极分别电连接于晶体管芯片与汲极电极,不但实现了RGB发光二极管显示器的主动式驱动设计,而且层数相较于传统被动式发光二极管显示器更低,而成本又比现有采用薄膜晶体管的主动式发光二极管显示器更低,从而能够满足产业界对于发光二极管显示器载板的轻薄化、降成本需求。
有关本申请的其它功效及实施例的详细内容,配合附图说明如下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的