[发明专利]一种dv/dt噪声检测与消除电路有效

专利信息
申请号: 201910676501.4 申请日: 2019-07-25
公开(公告)号: CN110311545B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 方健;关晓明;张二丽;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 dv dt 噪声 检测 消除 电路
【权利要求书】:

1.一种dv/dt噪声检测与消除电路,用于桥式电路,所述桥式电路包括N组桥臂,每组桥臂包括上功率管和下功率管,N为正整数;

其特征在于,所述dv/dt噪声检测与消除电路包括N个dv/dt噪声检测与消除单元,分别用于检测与消除所述桥式电路中N组桥臂的dv/dt噪声;

第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元包括第一电阻、第一电容和第一NMOS管,第一NMOS管的漏极连接第i组桥臂中所述下功率管的栅极,第一NMOS管的栅极一方面通过第一电容后连接第i组桥臂中所述下功率管的漏极,另一方面通过第一电阻后连接第一NMOS管的源极和第i组桥臂中所述下功率管的源极,i∈[1,N];

所述第i组桥臂中,上功率管导通时,下功率管漏极处产生dv/dt噪声,使得下功率管漏极处电压上升并对第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中第一电容充电;第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中,第一电容的电压升高使得第一NMOS管的栅极电压上升,当第一NMOS管的栅极电压升高到大于第一NMOS管的阈值电压时第一NMOS管导通,这时第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中第一NMOS管的导通电阻并联到第i组桥臂中下功率管的栅极和源极之间,使得第i组桥臂中下功率管的栅极电压降低至下功率管的阈值电压以下,保证第i组桥臂中下功率管不被误触发。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910676501.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top