[发明专利]一种dv/dt噪声检测与消除电路有效
申请号: | 201910676501.4 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN110311545B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 方健;关晓明;张二丽;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dv dt 噪声 检测 消除 电路 | ||
1.一种dv/dt噪声检测与消除电路,用于桥式电路,所述桥式电路包括N组桥臂,每组桥臂包括上功率管和下功率管,N为正整数;
其特征在于,所述dv/dt噪声检测与消除电路包括N个dv/dt噪声检测与消除单元,分别用于检测与消除所述桥式电路中N组桥臂的dv/dt噪声;
第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元包括第一电阻、第一电容和第一NMOS管,第一NMOS管的漏极连接第i组桥臂中所述下功率管的栅极,第一NMOS管的栅极一方面通过第一电容后连接第i组桥臂中所述下功率管的漏极,另一方面通过第一电阻后连接第一NMOS管的源极和第i组桥臂中所述下功率管的源极,i∈[1,N];
所述第i组桥臂中,上功率管导通时,下功率管漏极处产生dv/dt噪声,使得下功率管漏极处电压上升并对第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中第一电容充电;第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中,第一电容的电压升高使得第一NMOS管的栅极电压上升,当第一NMOS管的栅极电压升高到大于第一NMOS管的阈值电压时第一NMOS管导通,这时第i个所述dv/dt噪声检测与消除单元中第一NMOS管的导通电阻并联到第i组桥臂中下功率管的栅极和源极之间,使得第i组桥臂中下功率管的栅极电压降低至下功率管的阈值电压以下,保证第i组桥臂中下功率管不被误触发。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910676501.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置