[发明专利]一种晶圆结构及其制造方法、芯片结构

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一电容极板以及与所述第一电容极板电连接的第一极板互连结构，以及形成于所述第一覆盖层之上的介质材料的第一键合层；

第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二电容极板以及与所述第二电容极板电连接的第二极板互连结构，以及形成于所述第二覆盖层之上的介质材料的第二键合层；

其中，所述第一芯片和所述第二芯片通过所述第一键合层和所述第二键合层正面相对层叠，且所述第一电容极板与所述第二电容极板相对设置，所述第一电容极板与所述第二电容极板之间仅设置有介质材料。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一电容极板为所述第一芯片中的顶层连线层，所述第二电容极板为所述第二芯片中的顶层连线层。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一极板互连结构包括第一衬底上的第一接触塞，所述第一接触塞与所述第一电容极板下表面连接；或者，所述第一极板互连结构包括与所述第一电容极板下表面连接的互连层。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第二极板互连结构包括第二衬底上的第二接触塞，所述第二接触塞与所述第二电容极板下表面连接；或者，所述第二极板互连结构包括与所述第二电容极板下表面连接的互连层。

5.根据权利要求3或4所述的芯片结构，其特征在于，所述第一键合层和所述第二键合层中还形成有对准的键合垫，通过所述键合垫实现互连层的电连接。

6.一种晶圆结构，其特征在于，包括晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括正面层叠的第一晶圆和第二晶圆，所述晶圆键合结构上阵列排布有如权利要求1-5中任一项所述的芯片结构。

7.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆上阵列排布有第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一电容极板以及与所述第一电容极板电连接的第一极板互连结构，以及形成于所述第一覆盖层之上的介质材料的第一键合层；

提供第二晶圆，所述第二晶圆上阵列排布有第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二电容极板以及与所述第二电容极板电连接的第二极板互连结构，以及形成于所述第二覆盖层之上的介质材料的第二键合层；

利用所述第一键合层和所述第二键合层进行键合，以获得所述第一晶圆和第二晶圆正面相对层叠的晶圆键合结构，其中，所述第一电容极板与所述第二电容极板相对设置，所述第一电容极板与所述第二电容极板之间仅设置有介质材料。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一电容极板为所述第一芯片中的顶层连线层，所述第二电容极板为所述第二芯片中的顶层连线层。

9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，还包括：

进行所述晶圆键合结构的切割，以获得独立的芯片结构。