[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的交联修饰剂，所述交联修饰剂为含有至少一个巯基和至少一个卤素基团的有机化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置，所述巯基与量子点发光层中的量子点表面结合，所述卤素基团与电子传输层中的金属氧化物表面结合。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂为含有一个巯基和一个卤素基团的有机化合物。

3.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂选自卤素巯基嘌呤类化合物、卤素巯基吡啶类化合物、卤素巯基噻唑类化合物、卤苯硫酚类化合物、卤苄硫醇类化合物和卤素烷基硫醇化合物中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述卤素巯基嘌呤类化合物选自2-溴-6-巯基嘌呤、2-氯-6巯基嘌呤、2-氟-6巯基嘌呤和2-碘-6巯基嘌呤中的一种或多种；

和/或，所述卤素巯基吡啶类化合物选自5-溴-2-巯基吡啶、5-氯-2-巯基吡啶、5-氟-2-巯基吡啶、5-碘-2-巯基吡啶、3-溴-4-巯基吡啶、3-氯-4-巯基吡啶、3-氟-4-巯基吡啶和3-碘-4-巯基吡啶中的一种或多种；

和/或，所述卤素巯基噻唑类化合物选自5-溴-2-巯基苯并噻唑、5-氯-2-巯基苯并噻唑、5-氟-2-巯基苯并噻唑和5-碘-2-巯基苯并噻唑中的一种或多种；

和/或，所述卤苯硫酚类化合物选自4-溴苯硫酚、4-氯苯硫酚、4--氟苯硫酚、4-碘苯硫酚、3-溴苯硫酚、3-氯苯硫酚、3-氟苯硫酚、3-碘苯硫酚、2-溴苯硫酚、2-氯苯硫酚、2-氟苯硫酚和2-碘苯硫酚中的一种或多种；

和/或，所述卤苄硫醇类化合物选自2－溴苄硫醇、2－氯苄硫醇、2－氟苄硫醇、2－碘苄硫醇、4-溴苄硫醇、4-氯苄硫醇、4-氟苄硫醇和4-碘苄硫醇中的一种或多种；

和/或，所述卤素烷基硫醇化合物选自2-溴乙硫醇、3-溴丙硫醇、4-溴丁硫醇、5-溴戊硫醇、6-溴己硫醇、7-溴庚硫醇、8-溴辛硫醇、2-氯乙硫醇、3-氯丙硫醇、4-氯丁硫醇、5-氯戊硫醇、6-氯己硫醇、7-氯庚硫醇、8-氯辛硫醇、2-碘乙硫醇、3-碘丙硫醇、4-碘丁硫醇、5-碘戊硫醇、6-碘己硫醇、7-碘庚硫醇、8-碘辛硫醇、2-氟乙硫醇、3-氟丙硫醇、4-氟丁硫醇、5-氟戊硫醇、6-氟己硫醇、7-氟庚硫醇和8-氟辛硫醇中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃中的一种或多种；或者，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在阳极基板上制备量子点发光层；

采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述交联修饰剂为含有至少一个巯基和至少一个卤素基团的有机化合物，所述巯基与量子点发光层中的量子点表面结合；

在经过修饰处理的量子点发光层表面制备电子传输层，所述卤素基团与电子传输层中的金属氧化物表面结合；

在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管。