[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层，所述叠层包括量子点发光层、电子传输层以及使所述量子点发光层和电子传输层交联在一起的交联修饰剂，所述交联修饰剂为含有至少一个氨基和至少一个羧基的氨基酸类化合物，所述量子点发光层靠近阳极设置，所述电子传输层靠近阴极设置。

2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂为含有一个氨基和一个羧基的氨基酸类化合物。

3.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂设置在量子点发光层和电子传输层之间，所述交联修饰剂中的氨基与量子点发光层中量子点表面的金属原子共价结合，所述交联修饰剂中的羧基与电子传输层中金属氧化物表面的金属原子共价结合。

4.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂设置在量子点发光层和电子传输层之间，所述交联修饰剂中的氨基与电子传输层中金属氧化物表面的金属原子共价结合，所述交联修饰剂中的羧基与量子点发光层中量子点表面的金属原子共价结合。

5.根据权利要求1-2任一所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述交联修饰剂选自L-丙氨酸、L-丝氨酸、β-丙氨酸、L-亮氨酸、L-丙氨酸、DL-苏氨酸和甘氨酰丙氨酸中的一种或多种。

6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：

在阳极基板上制备量子点发光层；

采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理，所述交联修饰剂为含有至少一个氨基和至少一个羧基的氨基酸类化合物；

在经过修饰处理的量子点发光层表面制备电子传输层；

在所述电子传输层上制备阴极，制得所述量子点发光二极管；

或者，在阴极基板上制备电子传输层；

采用交联修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理，所述交联修饰剂为含有至少一个氨基和至少一个羧基的氨基酸类化合物；

在经过修饰处理的电子传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层上制备阳极，制得所述量子点发光二极管。

7.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用交联修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理的步骤包括：

将交联修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液，并调节所述交联溶液的PH值小于7；

将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在量子点发光层表面；

对所述量子点发光层表面进行干燥处理；

或者，所述采用交联修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理的步骤包括：

将交联修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液，并调节所述交联溶液的PH值小于7；

将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在电子传输层表面；

对所述电子传输层表面进行干燥处理。

8.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在量子点发光层表面的步骤包括：

将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置1-30min，使交联溶液中的交联修饰剂通过质子化的铵根离子与量子点发光层表面结合；

或者，所述将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间，使所述交联修饰剂结合在电子传输层表面的步骤包括：

将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置1-30min，使交联溶液中的交联修饰剂通过质子化的铵根离子与电子传输层表面结合。

9.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述交联溶液的浓度为0.01-5mol/ml。

10.根据权利要求6所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述电子传输层材料选自ZnO、TiO、ZnO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃中的一种或多种；或者，所述电子传输层材料选自掺杂有金属单质的ZnO、TiO、ZnO、NiO、W₂O₃、Mo₂O₃、TiO₂、SnO、ZrO₂和Ta₂O₃，所述金属单质为Mg、Mn、Al、Cu、Fe、Ag、Au中的一种或多种。