[发明专利]一种量子点发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201910678263.0 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN112289938B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 程陆玲 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘芙蓉 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种量子点发光二极管,包括阴极、阳极以及设置在所述阴极和阳极之间的叠层,所述叠层包括量子点发光层以及电子传输层,所述量子点发光层靠近阳极设置,所述电子传输层靠近阴极设置,其特征在于,所述量子点发光层和电子传输层相互接触的表面分别结合有第一修饰剂和第二修饰剂,所述第一修饰剂为巯基胺类化合物,所述第二修饰剂为巯基酸类化合物;或者,所述第一修饰剂为巯基酸类化合物,所述第二修饰剂为巯基胺类化合物;所述巯基胺类化合物的分子式为HS-(CH2)n-NH2,所述巯基酸类化合物的分子式为HS-(CH2)n-COOH,其中n的取值为1-10。
2.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括步骤:
在阳极基板上制备量子点发光层;
采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理,所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物,所述巯基胺类化合物的分子式为HS-(CH2)n-NH2,所述巯基酸类化合物的分子式为HS-(CH2)n-COOH,其中n的取值为1-10;
在经过修饰处理的量子点发光层表面沉积第一复合溶液,制得电子传输层,所述第一复合溶液由第二修饰剂与金属氧化物混合在极性溶剂中制得,当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时,所述第二修饰剂为巯基酸类化合物,当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时,所述第二修饰剂为巯基胺类化合物;
在所述电子传输层上制备阴极,制得所述量子点发光二极管;
或者,在阴极基板上制备电子传输层;
采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理,所述第一修饰剂为巯基胺类化合物或巯基酸类化合物,所述巯基胺类化合物的分子式为HS-(CH2)n-NH2,所述巯基酸类化合物的分子式为HS-(CH2)n-COOH,其中n的取值为1-10;
在经过修饰处理的电子传输层表面沉积第二复合溶液,制得量子点发光层,所述第二复合溶液由第二修饰剂与量子点混合在非极性溶剂中制得,当所述第一修饰剂为巯基胺类化合物时,所述第二修饰剂为巯基酸类化合物,当所述第一修饰剂为巯基酸类化合物时,所述第二修饰剂为巯基胺类化合物;
在所述量子点发光层上制备阳极,制得所述量子点发光二极管。
3.根据权利要求2所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述采用第一修饰剂对所述量子点发光层进行修饰处理的步骤包括:
将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液;
将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间,使第一修饰剂结合在量子点发光层表面;
采用旋涂的方式对所述量子点发光层表面进行干燥处理;
或者,所述采用第一修饰剂对所述电子传输层进行修饰处理的步骤包括:
将第一修饰剂分散在极性溶剂中形成交联溶液;
将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间,使第一修饰剂结合在电子传输层表面;
采用旋涂的方式对所述电子传输层表面进行干燥处理。
4.根据权利要求3所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,
所述将所述交联溶液沉积在所述量子点发光层上并静置预定时间,使第一修饰剂结合在量子点发光层表面的步骤包括:
将所述交联溶液滴涂在所述量子点发光层上并静置1-30min,使交联溶液中的第一修饰剂通过巯基与量子点发光层中的量子点表面结合;
或者,所述将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置预定时间,使第一修饰剂结合在电子传输层表面的步骤包括:
将所述交联溶液沉积在所述电子传输层上并静置1-30min,使交联溶液中的第一修饰剂通过巯基与电子传输层中的金属氧化物表面结合。
5.根据权利要求3所述量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述极性溶剂选自乙醇、甲醇、异丙醇、乙腈和四氢呋喃中的一种或多种。
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