[发明专利]用于形成热稳定有机硅聚合物膜的方法

权利要求书

1.一种形成热稳定有机硅聚合物的方法，包括：

(i)在反应空间中使用含硅前体在衬底上沉积有机硅聚合物，所述有机硅聚合物的主链由硅原子即聚硅烷、Si-C-Si主链即聚碳硅烷、Si-N-Si主链即聚硅氮烷、Si-O-Si主链即聚硅氧烷、前述任何一项的经改性的主链，或前述中任一项的混合物构成；以及

(ii)以增加Si-H键的方式在所述反应空间中不存在所述前体的情况下将在步骤(i)中沉积的所述有机硅聚合物暴露于氢等离子体，并且减小所述有机硅聚合物中的C-H键而不沉积有机硅聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(i)包括进行原子层沉积(ALD)的一个或多个循环，并且步骤(i)和(ii)重复作为步骤(iii)，直到获得所需的有机硅聚合物的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(i)包括进行化学气相沉积(CVD)，并且步骤(i)和(ii)重复作为步骤(iii)，直到获得所需的有机硅聚合物的厚度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述ALD是等离子体增强ALD(PEALD)，并且步骤(ii)在进行每个PEALD循环之后进行2到10次。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述CVD是热或等离子体增强CVD，并且步骤(ii)在步骤(i)中的厚度为1至50nm的所述有机硅聚合物每次沉积之后进行。

6.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)包括将0.07W/cm²至1.4W/cm²范围内的RF功率施加到所述反应空间以产生所述氢等离子体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)进行10秒至60秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)包括向所述反应空间中供应氢气和惰性气体，氢气流与包括氢气和惰性气体的总气流的比率为0.1到0.8。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(ii)包括仅向所述反应空间供应氢气以产生所述氢气等离子体。

10.根据权利要求2所述的方法，进一步包括在步骤(iii)之后，对所述有机硅聚合物退火，其中所述有机硅聚合物表现出的收缩率不到5％。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤(ii)中，所述氢等离子体是通过以脉冲形式向所述反应空间施加RF功率而产生的脉冲等离子体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(i)和步骤(ii)在同一反应室中连续进行。