[发明专利]一种重新布线层的制备方法

权利要求书

1.一种重新布线层的制备方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：

1)提供一基板，所述基板上表面具有一粘结层；

2)于所述粘结层上表面，依次沉积扩散阻挡层和种子层；

3)通过涂胶、曝光、显影工艺，于所述种子层的上表面形成图形化的光刻胶层；

4)于未被所述光刻胶层覆盖的所述种子层上表面形成金属线层；

5)去除所述光刻胶层；

6)湿法刻蚀，去除未被所述金属线层覆盖的所述种子层；

7)干法刻蚀，去除未被所述种子层覆盖的所述扩散阻挡层。

2.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的材料包括Ti、TiN、Ta、TaN\Ta、TiW、Cr中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述种子层的材料包括铜、铜合金、铝或铝合金。

4.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述金属线层的材料为铜、铜合金、铝或铝合金。

5.根据权利要求4所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述基板的材料包括玻璃、陶瓷或半导体材料。

6.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述金属线层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。

7.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述种子层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。

8.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述扩散阻挡层的制备方法包括溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法、电化学镀法。

9.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的工艺参数包括：工艺气体包括Cl₂、BCl₃和N₂，源射频功率为500W～1500W，偏置射频功率为100W～200W，工艺时间为40s～80s。

10.根据权利要求1所述的重新布线层的制备方法，其特征在于，所述图形化光刻胶层的厚度大于等于所述金属线层的厚度。