[发明专利]一种基于光子晶体的OSR热控涂层有效

专利信息
申请号: 201910679567.9 申请日: 2019-07-26
公开(公告)号: CN110422345B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 赵亚丽;张捷;贾琨;郭峰;雷忆三;马晨 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十三研究所
主分类号: G02B1/11 分类号: G02B1/11;B64G1/54;H01L31/0216;H01L31/052
代理公司: 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 代理人: 杨凯;连慧敏
地址: 030032 山西省太*** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 光子 晶体 osr 涂层
【权利要求书】:

1.一种基于光子晶体的OSR热控涂层,其特征在于:由发射层、紫外光反射层、可见红外光反射层组成;

所述发射层采用具备>0.8的红外发射率,可透过超过90%的紫外光、可见光和200nm-2000nm红外光,具备较高的传输率,并且耐高温,热膨胀系数极小的材料;所述发射层采用石英玻璃和铈玻璃中任一种;

所述紫外光反射层采用由电介质薄膜A和电介质薄膜B交替构成的介质型光子晶体,交替周期为3-7,所述电介质薄膜A和电介质薄膜B为非金属材料,所述紫外光反射层在200nm-400nm为禁带;

所述可见红外光反射层由介质C和介质D交替构成,交替周期为4.5-7.5,所述介质C与介质D为金属光子晶体薄膜,所述可见红外光反射层在可见光和400nm-2000nm红外光的等效介电常数小于0;

所述电介质薄膜A采用吸收光子波长在太阳光谱频段外,即小于200nm和大于2000nm的非金属电介质材料,或在可见光和红外光低吸收高通过的非金属电介质材料;所述电介质薄膜B采用低损耗、介电常数大的材料;

所述电介质薄膜A采用Al2O3、BaF2、KBr、SiO2、SiC、MgF2和TiO2中任一种;所述电介质薄膜B采用Si、Ge中任一种;

所述介质C为一种高介电常数的电介质,其介电常数的实部大于1.5;介质D为反射率较大的金属材料,其在可见光和红外光的介电常数实部小于零;所述介质D采用Al和Ag中任一种;

所述介质C采用Al2O3、SiO2、TiO2和ITO中任一种。

2.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的OSR热控涂层,其特征在于:所述发射层的厚度为0.1mm-0.2mm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的OSR热控涂层,其特征在于:所述电介质薄膜B介电常数至少高于电介质薄膜A介电常数1.5。

4.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的OSR热控涂层,其特征在于:所述紫外光反射层电介质薄膜A采用Al2O3薄膜,膜层厚度dA=80nm-120nm;所述电介质薄膜B采用Si薄膜,膜层厚度dB=5nm-10nm;交替周期设置为4。

5.根据权利要求1所述的一种基于光子晶体的OSR热控涂层,其特征在于:所述介质C采用ITO薄膜;所述介质D采用Ag薄膜,金属Ag的膜厚大于100nm;所述Ag薄膜和ITO薄膜的厚度比大于1.5。

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