[发明专利]一种耦合增强的D型光纤SPR传感器在审
申请号: | 201910680206.6 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN110346332A | 公开(公告)日: | 2019-10-18 |
发明(设计)人: | 王琦;牛立业;宋行;王雪州;井建迎;赵万明 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | G01N21/552 | 分类号: | G01N21/552 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 姜玉蓉;李洪福 |
地址: | 110819 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金纳米球 金膜 耦合增强 传感器 平整 有效探测面积 场强 金膜表面 能量耦合 物质作用 电场 灵敏度 研磨 表面镀 壳内部 消逝场 空腔 | ||
1.一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征在于包括:D型光纤结构(1),所述D型光纤结构(1)包括半圆形截面(12)和平整截面(11),所述平整截面(11)上镀有金膜(2),所述金膜(2)的表面镀有金纳米球壳(3)。
2.根据权利要求1所述的一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述D型光纤结构(1)的光纤直径为50—1000um,平整截面(11)的宽度为50—1000um。
3.根据权利要求1所述的一种基于金膜和金纳米球壳耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述金膜(2)的厚度为10nm—150nm。
4.根据权利要求1所述的一种耦合增强的D型光纤SPR传感器,其特征还在于:所述金纳米球壳(3)的直径么为10nm—100nm,所述金纳米球壳(3)的壁厚为5nm—45nm。
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