[发明专利]一种改善铁电薄膜电容器性能的方法有效
| 申请号： | 201910680727.1 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110718630B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 张修丽;徐红霞;汪丽莉;时志;黄志强 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H10N97/00 | 分类号： | H10N97/00 |
| 代理公司： | 上海统摄知识产权代理事务所(普通合伙) 31303 | 代理人： | 杜亚 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 薄膜 电容器 性能 方法 | ||
1.一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征是：在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。
2.一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征是：在采用正探针尖端或负探针尖端向铁电薄膜电容器中的薄膜施加电压以读写铁电薄膜电容器的过程中，将尖端输入的脉冲长度缩至2ms以下，且在铁电薄膜电容器被电压极化后，将尖端输入的电压调至0V后保持一段时间，以改善铁电薄膜电容器性能。
3.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，铁电薄膜电容器的读写速度小于1μs。
4.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，正探针尖端或负探针尖端为压电力显微镜的正探针尖端或负探针尖端。
5.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，铁电薄膜电容器为有机铁电薄膜电容器或无机铁电薄膜电容器。
6.根据权利要求5所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，有机铁电薄膜电容器为P(VDF-TrFE)聚合物薄膜电容器、尼龙-11薄膜电容器、尼龙-7膜电容器或尼龙-5膜电容器。
7.根据权利要求6所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，P(VDF-TrFE)聚合物薄膜电容器为由顶部电极、中间P(VDF-TrFE)聚合物薄膜和底部电极组成的“三明治”结构的电容器，P(VDF-TrFE)聚合物薄膜的厚度为60nm，底部电极为金属Ti。
8.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，尖端输入的脉冲为单脉冲。
9.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，尖端输入的脉冲长度为30μs～2ms，尖端输入的电压绝对值为8～10V。
10.根据权利要求1或2所述的一种改善铁电薄膜电容器性能的方法，其特征在于，一段时间为30～100s。
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