[发明专利]晶片研磨轮

说明书

一种晶片研磨轮包括多个轮尖端。所述多个轮尖端包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年12月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0168164的优先权，该韩国申请的全部公开内容以引用的方式合并于本申请中。

技术领域

与示例实施例一致的装置涉及晶片研磨轮。

背景技术

由于对紧凑且轻质的半导体器件的需求，可能需要用于使半导体器件更薄的技术。在半导体工艺中，在封装工艺之前执行研磨晶片的不必要的后部的工艺。硅晶片可以进行粗研磨、细研磨和抛光。同时，为了保证研磨质量，重要的是防止硅晶片的表面在研磨工艺期间破裂。

发明内容

本发明构思的示例实施例旨在提供一种研磨轮，所述研磨轮包括具有高长宽比和有角形状的金刚石磨料粒。

根据示例实施例，提供了一种包括多个轮尖端的研磨轮。所述多个轮尖端中的每个轮尖端可以包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比可以为2.5:1至3.5:1，并且可以包括研磨角度为90°或更小的边或顶点。

在一个实施例中，所述多个金刚石磨料粒中包括研磨角度为90°或更小的至少两个边或顶点的金刚石磨料粒的比率可以为80％或更大。

根据示例实施例，提供了一种包括多个轮尖端的研磨轮。所述多个轮尖端中的每个轮尖端可以包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒可以为三角锥形状，三角锥的高度与底表面的宽度之比为2.5:1至3.5:1，并且由彼此相交于顶点处的边形成的角度为30°至50°。

根据示例实施例，提供了一种包括多个轮尖端的研磨轮。所述多个轮尖端中的每个轮尖端可以包括多个金刚石磨料粒和与所述多个金刚石磨料粒混合的粘合材料。所述多个金刚石磨料粒在长轴方向上的长度与在短轴方向上的宽度之比可以为2.5:1至3.5:1，并且粒径为10μm至50μm。

附图说明

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的晶片研磨装置的透视图。

图2是根据本发明构思的示例实施例的晶片研磨装置的侧视图。

图3是图2的研磨轮的底部透视图。

图4是示出根据本发明构思的示例实施例的轮尖端的放大视图。

图5是根据本发明构思的示例实施例的金刚石磨料粒的放大视图。

图6是根据本发明构思的另一示例实施例的磨料粒的放大视图。

图7是根据本发明构思的又一示例实施例的磨料粒的放大视图。

图8是根据本发明构思的又一示例实施例的磨料粒的放大视图。

图9是根据本发明构思的又一示例实施例的磨料粒的放大视图。

图10是根据本发明构思的又一示例实施例的磨料粒的放大视图。

具体实施方式

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的晶片研磨装置的透视图。图2是根据本发明构思的示例实施例的晶片研磨装置的侧视图。

参考图1和图2，晶片研磨装置100可以包括基体102、卡盘工作台110和主轴120。