[发明专利]电子器件、显示装置、其制备方法和化合物

权利要求书

1.一种电子器件，所述电子器件包含空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴产生层，其中所述空穴注入层、所述空穴传输层和所述空穴产生层中的至少一者包含配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L：

其中A¹、A²和A³独立地选自

(i)部分或完全卤化的C₄至C₃₀脂族或脂环族叔烃基，

(ii)C₆至C₃₀芳基，

(iii)C₂至C₃₀杂芳基，

(iv)H，

(v)CN，

(vi)C₂至C₃₀酰基，

(vii)C₁至C₃₀磺酰基，和

(viii)C₂至C₃₀磷酰基，

条件是A¹、A²和A³中只有一个可以是H；且

M选自

a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，

b)分别呈氧化态(II)的Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Sn、Pb，

c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、V、Cr、Sb、Bi，和

d)分别呈氧化态(IV)的Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、Th。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中M选自

a)分别呈氧化态(I)的Li、Na、K、Rb、Cs，

b)分别呈氧化态(II)的Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn，和

c)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Cr。

3.根据权利要求1所述的电子器件，其中A¹、A²和A³中的一个或多个被选自CN、F、Cl、Br和I的取代基取代，并且在A¹、A²和A³中的至少一个中，取代基:氢的数量比≥1。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中A¹、A²和A³中的至少一个选自C₁至C₃₀磺酰基和CN。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中A¹、A²和A³中的至少一个选自C₆至C₃₀芳基和C₂至C₃₀杂芳基，其中所述芳基或杂芳基可被选自CN、F、Cl、Br和I的取代基取代；并且在这种情况下，所述芳基或杂芳基中的取代基:氢的比率可≥1。

6.根据权利要求1所述的电子器件，所述电子器件选自有机电致发光器件、有机晶体管和有机光伏器件。

7.一种显示装置，所述显示装置包含至少两个根据权利要求6所述的电致发光器件。

8.一种制备根据权利要求1所述的电子器件或根据权利要求7所述的显示装置的方法，所述方法包括以下步骤

(1)蒸发权利要求1中限定的配位络合物；和

(2)使所述配位络合物的蒸气沉积在固体载体上。

9.一种半导体材料，所述半导体材料包含空穴传输基质材料和p型掺杂剂，其中所述p型掺杂剂是权利要求1中限定的配位络合物。

10.一种配位络合物，所述配位络合物包含至少一个正电性原子M和至少一个由下式(I)表示的阴离子甲基化物配体L：

其中A¹和A²独立地选自C₁至C₃₀全氟磺酰基，

A³选自C₆至C₃₀全氟芳基，且

M选自

a)分别呈氧化态(II)的Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd、Sn、Pb；

b)分别呈氧化态(III)的Al、Ga、In、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、V、Cr、Sb、Bi；和

c)分别呈氧化态(IV)的Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Hf、Th。