[发明专利]封装结构的形成方法

权利要求书

1.一种封装结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干半导体芯片，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干第一焊盘贯穿底部屏蔽层，第一焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；且所述具有底部屏蔽层的半导体芯片的形成过程为：提供晶圆，所述晶圆上形成有若干半导体芯片，所述半导体芯片包括顶层介质层和位于顶层介质层中的顶层互连结构；在所述顶层介质层上形成隔离层；刻蚀所述隔离层，在所述隔离层中形成若干第一开口和包围所述若干第一开口的第二开口，每一个第一开口相应的暴露出顶层互连结构部分表面，所述第二开口的深度小于隔离层的厚度，且剩余的隔离层仅位于第一开口和第二开口之间，将所述第一开口和第二开口隔开；在所述若干第一开口中填充金属材料形成若干第一焊盘，在所述第二开口中填充金属材料形成底部屏蔽层；形成第一焊盘和底部屏蔽层后，切割所述晶圆，形成若干分立具有底部屏蔽层的半导体芯片；

提供无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的表面具有若干第二焊盘；

提供载板；

将所述若干半导体芯片的功能面粘合在载板上；

形成包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接；

在每一个所述半导体芯片一侧的载板上对应粘合所述无需屏蔽的电子元件，所述无需屏蔽的电子元件的具有第二焊盘的表面与载板的粘合表面相向；

在所述第一屏蔽层上形成第二屏蔽层；

形成覆盖所述第二屏蔽层、无需屏蔽的电子元件以及载板的塑封层；

剥离所述载板，形成预封面板，所述预封面板背面露出半导体芯片的功能面上的第一焊盘以及无需屏蔽的电子元件的第二焊盘；

在所述预封面板的背面形成与第一焊盘连接的第一外部接触结构以及与第二焊盘连接的第二外部接触结构。

2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层的形成工艺为溅射，所述第一屏蔽层至少还覆盖半导体芯片之间周围的部分载板表面；所述无需屏蔽的电子元件在形成所述第一屏蔽层之前或之后粘合在载板上；在形成第二屏蔽层后或者剥离所述载板后，去除半导体芯片两侧的第一屏蔽层。

3.如权利要求2所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第二屏蔽层仅位于包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面的第一屏蔽层表面上，且所述第二屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层通过选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。

4.如权利要求3所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层的材料为铜、钨或铝，所述第二屏蔽层的材料为铜、焊料或导电银胶。

5.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。

6.如权利要求5所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。

7.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述若干第一焊盘和底部屏蔽层通过同一工艺形成，包括步骤：在所述第一开口和第二开口中以及隔离层的表面上形成金属材料层；平坦化去除高于所述隔离层表面的金属材料层，在所述第一开口中形成第一焊盘，在所述第二开口中形成底部屏蔽层。

8.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其特征在于，所述第一外部接触结构包括位于预封面板背面上与第一焊盘连接的再布线层以及位于再布线层上与再布线层连接的外部接触件。