[发明专利]一种直拉单晶液位保护系统及其控制方法在审
| 申请号： | 201910682195.5 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110284184A | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 王建平;王鑫;王林 | 申请（专利权）人： | 内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 010070 内蒙古自*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 坩埚 液位保护 直拉单晶 理论位置 实际距离 导流筒下沿 爆炸事故 操作失误 控制系统 理论距离 实际位置 系统防护 系统结构 硅熔液 硅溶液 液面 判定 测算 防护 监控 升级 | ||
1.一种直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：根据导流筒下沿与坩埚内硅溶液的液面之间的距离，计算坩埚的理论位置；
S2：监控所述坩埚的实际距离，并将所述坩埚的实际距离与所述坩埚的理论距离作对比，进行埚升控制。
2.根据权利要求1所述的直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：所述步骤S1包括以下步骤：
S11：计算所述坩埚内硅溶液的液位深度；
S12：计算所述坩埚的理论位置；
3.根据权利要求2所述的直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：所述步骤S11包括以下步骤：
S111：根据所述坩埚参数计算所述坩埚的体积；
S112：根据投料量与所述坩埚的体积计算所述硅溶液液位深度。
4.根据权利要求2或3所述的直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：所述步骤S12包括以下步骤：
S121：根据所述硅溶液液面与所述导流筒下沿的最小距离和所述投料量，计算所述坩埚的理论位置；
S122：根据所述坩埚的理论位置，监控所述坩埚的实际位置。
5.根据权利要求4所述的直拉单晶液位保护系统控制方法，其特征在于：所述监控的实际距离为坩埚位置检测装置。
6.一种直拉单晶液位保护系统，其特征在于：包括坩埚位置检测装置、埚升驱动装置和控制装置，所述埚升驱动装置与所述坩埚位置检测装置均与所述控制装置电连接，根据所述坩埚位置检测装置检测所述坩埚的位置，并将检测到的所述坩埚的位置信号传递给所述控制装置，所述控制装置控制所述埚升驱动装置动作，控制所述坩埚上升或停止。
7.根据权利要求5所述的直拉单晶液位保护系统，其特征在于：所述埚升驱动装置为电机。
8.根据权利要求5或6所述的直拉单晶液位保护系统，其特征在于：所述控制装置为CPU或PLC。
9.根据权利要求8所述的直拉单晶液位保护系统，其特征在于：所述坩埚位置检测装置为编码器。
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