[发明专利]衬垫结构及其形成方法

权利要求书

1.一种衬垫结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的表面形成金属互连层，所述金属互连层内具有金属互连结构；

在所述金属互连层的表面形成介质层；

对所述介质层进行刻蚀，以形成多个衬垫沟槽；

向所述衬垫沟槽内填充衬垫材料，以形成衬垫结构，所述衬垫结构与所述金属互连结构电连接；

其中，所述衬垫结构位于预设的衬垫版图区域内，所述衬垫版图区域具有多个单位区域，且每个单位区域均具有多个衬垫结构。

2.根据权利要求1所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，

所述衬垫沟槽的截面形状为圆形；

其中，所述截面的延伸方向平行于所述半导体衬底的表面。

3.根据权利要求2所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，

基于预设掩膜版的衬垫图形，形成所述衬垫沟槽；

其中，所述衬垫图形的边缘为锯齿形。

4.根据权利要求2所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，各个衬垫结构的截面的面积一致；

其中，所述截面的延伸方向平行于所述半导体衬底的表面。

5.根据权利要求1所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，

所述衬垫沟槽暴露出所述金属互连结构的顶部表面。

6.根据权利要求1所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，所述衬垫版图区域中的每个单位区域的衬垫结构的数量选自：4至16。

7.根据权利要求1所述的衬垫结构的形成方法，其特征在于，

所述衬垫材料选自：铜、钨、钛、铝、钴、银以及金。

8.一种衬垫结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

金属互连层，所述金属互连层内具有金属互连结构；

介质层，位于所述金属互连层的表面；

衬垫沟槽，位于所述介质层内；

衬垫结构，位于所述衬垫沟槽内，所述衬垫结构与所述金属互连结构电连接；

其中，所述衬垫结构位于预设的衬垫版图区域内，所述衬垫版图区域具有多个单位区域，且每个单位区域均具有多个衬垫结构。

9.根据权利要求8所述的衬垫结构，其特征在于，

所述衬垫沟槽的截面形状为圆形；

其中，所述截面的延伸方向平行于所述半导体衬底的表面。

10.根据权利要求8所述的衬垫结构，其特征在于，

各个衬垫结构的截面的面积一致；

其中，所述截面的延伸方向平行于所述半导体衬底的表面。