[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于，具备：

俯视时大致矩形的半导体层叠体，其具有n侧半导体层、设置于所述n侧半导体层上且设置于该n侧半导体层的除外周部以外的内侧区域的p侧半导体层；

绝缘膜，其位于所述半导体层叠体上，具有设置于所述p侧半导体层上的p侧开口、设置于所述内侧区域的所述n侧半导体层上的多个第一n侧开口、设置于所述n侧半导体层的所述外周部上的多个第二n侧开口；

n电极，其延伸设置在所述绝缘膜上及所述n侧半导体层的所述外周部，具有通过所述第一n侧开口与所述n侧半导体层导通的第一n接触部、分别在所述n侧半导体层的所述外周部的至少四个角通过所述第二n侧开口与所述n侧半导体层导通的第二n接触部；

p焊盘电极，其通过所述p侧开口与所述p侧半导体层导通，在俯视时，配置在包含所述半导体层叠体的中央部的区域，以两端在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上接近所述n侧半导体层的所述外周部的方式延伸，设置成将所述半导体层叠体分为第一区域和第二区域，

所述第一区域及所述第二区域分别具有在与所述半导体层叠体的一边正交的方向上将所述p焊盘电极和所述半导体层叠体的外周部之间二等分的、位于所述p焊盘电极侧的第一区块和位于所述半导体层叠体的外周部侧的第二区块，

所述第一区域及第二区域的所述第二区块分别具有在与所述半导体层叠体的一边平行的方向上被三等分而成的第一分区、第三分区、位于所述第一分区和所述第三分区之间的第二分区，

所述第一区域及所述第二区域的所述第一区块中的所述第一n接触部的面积比所述第一区域及所述第二区域的所述第二区块中的所述第一n接触部的面积大，

所述第一区域及所述第二区域的所述第二分区中的所述第一n接触部的面积比所述第一区域及所述第二区域的所述第一分区及第三分区中的所述第一n接触部的面积大。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，

除形成于所述四个角以外，所述第二n接触部还在所述四个角之间的所述n侧半导体层的所述外周部等间隔地散布形成有多个。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，

在俯视时，多个所述第二n接触部的面积的合计值比多个所述第一n接触部的面积的合计值大。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在俯视时，多个所述第一n接触部的形状及大小分别相同，

在所述第一区域及所述第二区域中，多个所述第一n接触部的个数随着离所述p焊盘电极越远而减少。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在俯视时，多个所述第一n接触部配置在与所述半导体层叠体的一边平行的多条线上，

配置于所述多条线中的至少一条线上的多个所述第一n接触部以等间隔配置。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，

在俯视时，所述n侧半导体层的所述外周部具有向所述内侧区域延伸的延伸区域，

所述绝缘膜具有形成于所述延伸区域内的所述第二n侧开口，

所述n电极以覆盖设置于所述延伸区域内的所述第二n侧开口的方式形成。