[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。在向内含半导体元件以及导线的区域填充封装材料的状况下，抑制气泡产生。半导体装置(100)具备将内含半导体元件(S1)以及导线(W1)的区域(Rg1b)包围的壳体(Cs1)。在壳体(Cs1)设置有用于向区域(Rg1b)排出封装材料(4)的s(比k大且大于或等于3的整数)个排出路径(H1a)。以在俯视观察时s个排出路径(H1a)包围区域(Rg1b)的方式设置该s个排出路径(H1a)。在俯视观察时，s个排出路径(H1a)设置为漩涡状。

技术领域

本发明涉及具有与封装材料相关的结构的半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

提出了将内含半导体元件以及导线的区域(以下，也称为“区域Rgs”)通过封装材料而进行封装的各种技术。在专利文献1中公开了利用设置于壳体的多个通孔，将区域Rgs通过封装材料而进行封装的结构(以下，也称为“相关结构A”)。

具体地说，在相关结构A中，以夹着区域Rgs的方式设置有2个通孔。2个通孔各自具有用于将封装材料向区域Rgs排出的排出路径(流入口)。另外，在相关结构A中，以由2个排出路径而夹着区域Rgs的方式设置该2个排出路径。

专利文献1：日本特开2009-147030号公报(图3(b))

在相关结构A中，具有2个通孔、夹着区域Rgs的2个排出路径以直线状排列。因此，容易产生向区域Rgs排出的封装材料在该区域Rgs不均衡地填充的状况。因此，在相关结构A中，在向区域Rgs填充封装材料的状况下，有可能产生气泡(间隙)。

发明内容

本发明就是为了解决这样的问题而提出的，其目的在于提供在向内含半导体元件以及导线的区域填充封装材料的状况下，能够抑制气泡产生的半导体装置等。

为了达成上述目的，本发明的一个方案涉及的半导体装置具有填充封装材料的区域。所述半导体装置具备：基板；半导体元件，其固定于所述基板；导线，其与所述半导体元件连接；以及壳体，其将内含所述半导体元件以及所述导线的所述区域包围，在所述壳体设置有k个通孔，其中，k是大于或等于2的整数，在各所述通孔设置有用于将所述封装材料注入的注入口，在所述壳体设置有用于向所述区域排出所述封装材料的s个排出路径，其中，s是比k大且大于或等于3的整数，所述各通孔具有所述s个排出路径所包含的多个排出路径，以在俯视观察时所述s个排出路径包围所述区域的方式设置该s个排出路径，在俯视观察时，所述s个排出路径设置为漩涡状。

发明的效果

根据本发明，半导体装置具有将内含所述半导体元件以及所述导线的所述区域包围的壳体。在所述壳体设置有用于向所述区域排出所述封装材料的s(比k大且大于或等于3的整数)个排出路径。以在俯视观察时所述s个排出路径包围所述区域的方式设置该s个排出路径。在俯视观察时，所述s个排出路径设置为漩涡状。

因此，在向所述各通孔的所述注入口注入了所述封装材料，以使得从所述s个排出路径向所述区域排出该封装材料的情况下，能够抑制向该区域排出的封装材料产生不均衡。因此，在向内含半导体元件以及导线的区域填充封装材料的状况下，能够抑制气泡产生。

附图说明

图1是实施方式1涉及的半导体装置的俯视图。

图2是沿着图1的A1-A2线的半导体装置的剖面图。

图3是沿着图2的B1-B2线的半导体装置的剖面图。

图4是实施方式1涉及的制造方法Pr的流程图。

图5是表示注入工序刚刚开始之后的半导体装置的状态的图。

图6是表示在各通孔设置了多个注入口的结构的图。

图7是具有变形例1涉及的结构的半导体装置的剖面图。