[发明专利]硅基半导体与化合物半导体异构集成方法及异构集成器件有效
| 申请号： | 201910683606.2 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110534417B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 常虎东;孙兵;苏永波;刘洪刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 董李欣 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 化合物 集成 方法 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅基半导体与化合物半导体异构集成方法，其特征在于，包括以下步骤：
在硅基半导体的表面沉积三氧化二铝介质层；
在所述三氧化二铝介质层的表面沉积铝层，备用；
在化合物半导体的表面沉积三氧化二铝介质层；
对沉积有三氧化二铝介质层的化合物半导体进行氧离子注入，备用；
将上述备用的硅基半导体与化合物半导体键合在一起；
所述键合步骤的条件为真空。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基半导体表面上的三氧化二铝介质层厚度为30-300纳米。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化合物半导体表面上的三氧化二铝介质层厚度为30-300纳米。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铝层的厚度为3-30纳米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入步骤中注入深度为3-30纳米。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述键合步骤的温度为250-500度，键合时间为12-15小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化合物半导体为磷化铟或砷化镓。
8.一种异构集成器件，其特征在于，采用权利要求1-7任一项所述的方法制得。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
