[发明专利]一种漏电检测电路在审
申请号: | 201910683891.8 | 申请日: | 2019-07-26 |
公开(公告)号: | CN112305450A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 邸士伟;邓龙利 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/52 | 分类号: | G01R31/52;G11C29/50 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新区天谷*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 漏电 检测 电路 | ||
本发明实施例提供了一种漏电检测电路,其特征在于,包括:高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块;所述参考模块,用于生成第一电流,向所述高压镜像模块传输所述第一电流;所述存储器模块,用于生成第二电流,向所述高压镜像模块传输所述第二电流;所述高压镜像模块,用于接收所述第一电流,根据所述第一电流生成第一镜像电流,向所述检测模块传输所述第一镜像电流;或者,用于接收所述第二电流,根据所述第二电流生成第二镜像电流,向所述检测模块传输所述第二镜像电流;所述检测模块,用于根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流,确定所述存储器模块的漏电状态。
技术领域
本发明涉及电子电路领域,特别是涉及一种漏电检测电路。
背景技术
Nand flash是一种非易失性存储器,它通过对存储单元(Memory cell)进行读写擦操作来存储数据,具有改写速度快,存储容量大等优点,被广泛使用到电子产品中。随着Nand flash存储器的大量使用,对其性能的要求也在不断提高;而随着工艺特征尺寸的逐步降低,Nand flash的单位面积的容量增大,同时字线与字线之间(wordline-wordline)漏电也增大,这可能造成其存储单元处于异常状态,无法正常进行存储,导致非易失性存储器的性能下降。
所以,对于字线与字线之间(wordline-wordline)漏电的测量,确定非易失性存储器的漏电状态成为一个亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提出了一种漏电检测电路,用于检测存储器存储单元的漏电状态。
依据本发明的一个方面,提供了一种漏电检测电路,包括:高压镜像模块、参考模块、存储器模块和检测模块;
其中,所述高压镜像模块与所述检测模块连接;当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时,所述高压镜像模块与所述存储器模块断开,当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时,所述高压镜像模块与所述参考模块断开;
所述参考模块,用于生成第一电流,向所述高压镜像模块传输所述第一电流;
所述存储器模块,用于生成第二电流,向所述高压镜像模块传输所述第二电流;
所述高压镜像模块,用于接收所述第一电流,根据所述第一电流生成第一镜像电流,向所述检测模块传输所述第一镜像电流;或者,用于接收所述第二电流,根据所述第二电流生成第二镜像电流,向所述检测模块传输所述第二镜像电流;
所述检测模块,用于接收所述第一镜像电流,或者,接收所述第二镜像电流;根据所述第一镜像电流和所述第二镜像电流,确定所述存储器模块的漏电状态。
可选的,所述检测模块包括:反相器与可调电流源;
所述可调电流源,用于产生第三电流;
所述反相器,用于根据所述第一镜像电流与所述第三电流产生第一翻转信号,或者,根据所述第二镜像电流与所述第三电流产生第二翻转信号;根据所述第一翻转信号或者所述第二翻转信号确定所述存储器模块的漏电状态。
可选的,所述反相器,具体用于:
当所述高压镜像模块与所述参考模块连接时,调节所述可调电流源,控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低,当所述反相器输出所述第一翻转信号时,记录所述第三电流对应的第一当前电流值;
当所述高压镜像模块与所述存储器模块连接时,调节所述可调电流源,控制所述第三电流的电流值从大到小依次降低,当所述反相器输出所述第二翻转信号时,记录所述第三电流对应的第二当前电流值;
比较所述第一当前电流值与第二当前电流值的大小,确定所述存储器模块的漏电状态。
可选的,所述反相器,具体用于:
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