[发明专利]芯片及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种芯片，包括功能区和位于所述功能区外围的非功能区，其特征在于，所述芯片包括：

半导体基底；

多层介电层，设置于所述半导体基底上，且所述介电层的一部分位于所述非功能区；

多个第一加强件，位于所述非功能区；所述第一加强件嵌入至少两层所述介电层，且所述第一加强件与其嵌入的所述介电层相连接；

所述多个第一加强件分为至少两组，相邻两组中的所述第一加强件交错设置。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述多层介电层包括多层第一介电层；

所述芯片还包括：

多层金属图案层，设置于所述半导体基底上，且相邻两层所述金属图案层之间具有一层所述第一介电层；

所述第一加强件至少嵌入两层所述第一介电层。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述多层介电层还包括第二介电层和多层第一介电层，所述第二介电层设置在所述多层第一介电层远离所述半导体基底一侧；

所述芯片还包括：

多层金属图案层，设置于所述半导体基底上，且相邻两层所述金属图案层之间具有一层所述第一介电层；

多个感光器件，位于所述功能区；所述多个感光器件设置在所述第二介电层与所述多层第一介电层中最远离所述半导体基底的所述第一介电层之间；

所述第一加强件嵌入所述第二介电层和至少一层所述第一介电层。

4.根据权利要求2或3所述的芯片，其特征在于，所述第一加强件还嵌入所述半导体基底，且与所述半导体基底相连接。

5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述功能区的周边均设置有所述第一加强件。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一加强件为柱状；同一组中的每个所述第一加强件到所述功能区的距离相等。

7.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，所述金属图案层包括导电部，所述多层金属图案层中的所述导电部构成所述芯片的电路结构；

构成所述第一加强件的材料为导电材料，且所述第一加强件与所述电路结构绝缘；

所述芯片还包括设置在所述第一加强件与所述半导体基底之间的离子扩散阻挡层和种子层，所述种子层位于所述离子扩散阻挡层靠近所述第一加强件一侧。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述金属图案层包括至少一条测试导线，所述测试导线的两端分别与位于所述功能区同一侧的两个所述第一加强件电连接。

9.根据权利要求8所述的芯片，其特征在于，所述芯片包括多根测试导线，每一层所述金属图案层包括至少一条所述测试导线。

10.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括：

在半导体基底上的每一个组建区域内制作多层介电层和多个第一加强件，形成芯片晶圆；所述组建区域包括功能区和位于所述功能区外围的非功能区；所述介电层的一部分和所述第一加强件位于所述非功能区；所述第一加强件嵌入至少两层所述介电层，且与其嵌入的所述介电层相连接；所述多个第一加强件分为至少两组，相邻两组中的所述第一加强件交错设置；所述半导体基底包括由横纵交叉的切割道界定的多个所述组建区域；

沿所述切割道对所述芯片晶圆进行分离，获得多个所述芯片。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在沿所述切割道切割之前，所述芯片的制备方法还包括：

在组建区域内制作多个感光器件，所述多个感光器件位于所述功能区，所述多个感光器件设置在所述多层介电层中最远离所述半导体基底的一层所述介电层的，靠近所述半导体基底一侧。