[发明专利]一种NAND Flash单元数据的读取方法和装置

权利要求书

1.一种NAND Flash单元数据的读取方法，其特征在于，所述方法包括：

检测NAND Flash存储单元的当前温度；

根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；

在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值；

根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，其中，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，所述参考漏极特征值包括参考漏极电压，所述参考漏极电压是在所述当前温度下，向所述NAND Flash存储单元的漏极存电后的电压；

根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述当前温度与所述调整后的源极电压呈正相关。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，参考漏极特征值包括参考漏极电压；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：

根据所述当前漏极电压和参考漏极电压，确定漏极电压变化量；

所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：

根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：

若所述漏极电压的变化量大于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；

若所述漏极电压的变化量小于或等于第一阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述当前漏极特征值包括当前漏极电流，参考漏极特征值包括参考漏极电流；所述根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量，包括：

根据所述当前漏极电流和参考漏极电流，确定漏极电流变化量；

所述根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，包括：

根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述根据所述漏极电流变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据，具体包括：

若所述漏极电流变化量大于第二阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“1”；

若所述漏极电流变化量小于第二阈值时，则确定所述NAND Flash存储单元的存储数据为“0”。

7.一种NAND Flash单元数据的读取装置，其特征在于，所述装置包括：

检测模块，用于检测NAND Flash存储单元的当前温度；

执行模块，用于根据所述当前温度，调整所述NAND Flash存储单元的源极电压，得到调整后的源极电压；

检测模块，还用于在保持所述调整后的源极电压不变的情况下，检测所述NAND Flash存储单元的当前漏极特征值，其中，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，所述参考漏极特征值包括参考漏极电压，所述参考漏极电压是在所述当前温度下，向所述NAND Flash存储单元的漏极存电后的电压；

确定模块，用于根据所述当前漏极特征值和参考漏极特征值，确定漏极特征值变化量；

读取模块，用于根据所述漏极特征值变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述当前漏极特征值包括当前漏极电压，参考漏极特征值包括参考漏极电压，所述确定模块，具体用于根据所述当前漏极电压和参考漏极电压，确定漏极电压变化量；

所述读取模块，具体用于根据所述漏极电压变化量，读取所述NAND Flash存储单元的存储数据。