[发明专利]体声波谐振器及体声波滤波器

权利要求书

1.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：

第一基板，利用第一材料形成，在所述第一基板的第一侧上设置有压电层；以及

第二基板，利用第二材料形成，并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上，

其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。

2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，满足0.25t1/t20.67，并且

其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度。

3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一基板利用硅形成，

所述第二基板利用碳化硅化合物形成。

4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：第三基板，设置在所述第二基板的一侧上。

5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第三基板利用所述第一材料形成。

6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，满足0.25(t1+t3)/t20.67，并且

其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度，t3是所述第三基板的厚度。

7.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第三基板的厚度小于所述第一基板的厚度。

8.根据权利要求4所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：第四基板，设置在所述第三基板的一侧上。

9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述第四基板利用所述第二材料形成。

10.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述第四基板的厚度小于所述第二基板的厚度。

11.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，满足0.25(t1+t3)/(t2+t4)0.67，并且

其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度，t3是所述第三基板的厚度，t4是所述第四基板的厚度。

12.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一基板的第一侧和所述压电层之间。

13.一种体声波滤波器，所述体声波滤波器包括权利要求1至12中任一项所述的体声波谐振器。

14.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：

第一基板，利用硅形成；

绝缘层，设置在所述第一基板的第一侧上；

膜层，设置在所述绝缘层上，并且限定位于所述绝缘层和所述膜层之间的腔；

压电层，设置在所述膜层上；以及

第二基板，利用碳化硅化合物形成并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上。

15.根据权利要求14所述的体声波谐振器，所述第二基板的厚度大于所述第一基板的厚度。

16.根据权利要求14所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：第三基板，利用硅形成并设置在所述第二基板的一侧上，所述第二基板的所述一侧与所述第二基板的设置在所述第一基板的所述第二侧上的一侧相对。

17.根据权利要求16所述的体声波谐振器，其中，所述第二基板的厚度大于所述第一基板的厚度，所述第三基板的厚度小于所述第一基板的厚度。