[发明专利]存储装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 201910686880.5 申请日: 2019-07-29
公开(公告)号: CN111192617A 公开(公告)日: 2020-05-22
发明(设计)人: 李芸相;安致昱 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/08;G11C29/42;G11C16/04
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵永莉;张澜
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种存储装置,包括:

存储器装置,对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及

存储器控制器,控制所述存储器装置以:

执行所述读取操作,

当所述读取操作失败时,通过改变读取电压电平,对所述选择的字线执行读取重试操作,并且

当所述读取重试操作失败时,根据所述选择的字线是否是设置字线,通过改变所述读取电压电平和与所述读取操作有关的电压施加时间,对所述选择的字线执行附加读取重试操作。

2.根据权利要求1所述的存储装置,其中所述存储器装置包括:

读取操作处理器,执行所述读取重试操作和所述附加读取重试操作;以及

读取重试表,包括关于待被用于所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的读取电压电平的信息以及关于每个电压施加时间的信息。

3.根据权利要求2所述的存储装置,其中所述存储器控制器包括:

读取重试表存储装置,存储从所述存储器装置接收的所述读取重试表;以及

读取操作控制器,使用所述读取电压电平控制所述读取操作处理器以执行所述读取重试操作,并使用所述读取电压电平和所述每个电压施加时间执行所述附加读取重试操作。

4.根据权利要求3所述的存储装置,其中所述读取操作控制器包括:

读取重试计数电路,对重新执行所述读取操作的次数进行计数以生成读取重试计数;

读取失败传感器,感测所述读取操作、所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的处理失败,并生成与所述处理失败对应的失败信号;以及

读取重试操作控制器,根据所述失败信号和所述读取重试计数生成所述读取重试操作的第一控制命令和所述附加读取重试操作的第二控制命令,并将所生成的第一控制命令或第二控制命令提供到所述读取操作处理器。

5.根据权利要求4所述的存储装置,

其中所述读取重试表存储关于读取重试阈值计数的信息;

其中所述读取重试操作控制器根据所述读取重试计数与所述读取重试阈值计数的比较结果生成所述第一控制命令。

6.根据权利要求4所述的存储装置,

其中所述读取重试表存储关于附加读取重试阈值计数的信息,并且

其中当所述选择的字线是所述设置字线时,所述读取重试操作控制器根据所述读取重试计数与总阈值计数的比较结果生成所述第二控制命令,所述总阈值计数是所述读取重试阈值计数和所述附加读取重试阈值计数之和。

7.根据权利要求4所述的存储装置,其中当作为所述读取操作、所述读取重试操作和所述附加读取重试操作的结果的错误校正解码操作失败时,所述读取失败传感器生成所述失败信号。

8.根据权利要求7所述的存储装置,其中所述存储器控制器包括执行所述错误校正解码操作的错误校正码解码器,即ECC解码器。

9.根据权利要求4所述的存储装置,其中所述第一控制命令和所述第二控制命令中的至少一个包括设置参数命令。

10.一种操作存储装置的方法,所述存储装置包括:存储器装置,对多个字线之中的选择的字线执行读取操作;以及存储器控制器,控制所述存储器装置,所述方法包括:

当所述读取操作失败时,通过改变读取电压电平,执行读取重试操作;以及

当所述读取重试操作失败时,根据所述选择的字线是否是设置字线,通过改变所述读取电压电平和与所述读取操作有关的电压施加时间,执行附加读取重试操作。

11.根据权利要求10所述的方法,其中执行所述读取重试操作包括:基于所述读取重试计数与读取重试阈值计数的比较结果,使用基于读取重试计数确定的读取电压电平执行所述读取重试操作,所述读取重试计数表示已经重新执行所述读取操作的次数。

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