[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有第一鳍部，所述第一鳍部包括：擦除区和浮栅区，所述浮栅区与擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于擦除区两侧，所述基底上还具有第二鳍部，且在垂直于第一鳍部的延伸方向上，所述第一鳍部分别位于擦除区的两侧，所述擦除区和第二鳍部表面具有牺牲层；

在所述基底上形成横跨所述浮栅区的浮栅极结构，且所述浮栅极结构表面低于牺牲层顶部表面；

在所述基底上形成位于所述浮栅极结构顶部表面和侧壁表面的第一侧墙膜，且所述第一侧墙膜顶部表面齐平于牺牲层顶部表面；

去除所述牺牲层，在所述浮栅极结构和第一侧墙膜内形成开口，所述开口底部暴露出擦除区表面和第二鳍部表面；

形成所述开口之后，在所述开口底部的第一鳍部的擦除区内和第二鳍部内形成源极；

形成所述源极后，在所述开口内形成擦除栅极结构，且所述擦除栅极结构表面齐平于第一侧墙膜顶部表面。

2.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述浮栅极结构的形成方法包括：在基底上形成位于所述第一鳍部顶部表面和侧壁表面、第二鳍部侧壁表面、以及牺牲层顶部表面和侧壁表面的初始浮栅极材料膜；平坦化所述初始浮栅极材料膜，直至暴露出牺牲层顶部表面，在所述基底上形成浮栅极材料膜，且所述浮栅极材料膜表面齐平于牺牲层顶部表面；在所述浮栅极材料膜表面形成第一图形化层，所述第一图形化层位于浮栅区上的浮栅极材料膜表面、以及沿垂直于第一鳍部的延伸方向上，浮栅区两侧上的部分浮栅极材料膜表面；以所述第一图形化层为掩膜，刻蚀所述浮栅极材料膜，直至暴露出基底表面，在所述基底上形成横跨所述浮栅区的初始浮栅极结构；回刻蚀所述初始浮栅极结构，形成浮栅极结构，使所述浮栅极结构的顶部表面低于牺牲层的顶部表面。

3.如权利要求2所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述初始浮栅极材料膜包括：位于所述第一鳍部顶部表面和侧壁表面、第二鳍部侧壁表面的初始浮栅介质膜、以及位于初始浮栅介质膜表面和牺牲层顶部表面和侧壁表面的初始浮栅电极膜；所述初始浮栅介质膜的材料包括：氧化硅或者高K介质材料，所述初始浮栅电极膜的材料包括：多晶硅或者金属材料。

4.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙膜的形成方法包括：在所述基底上形成覆盖第一鳍部和第二鳍部的第一侧墙材料膜，所述第一侧墙材料膜位于浮栅极结构顶部表面和侧壁表面、以及牺牲层表面；平坦化所述第一侧墙材料膜，直至暴露出牺牲层顶部表面，在所述基底上形成位于浮栅极结构顶部表面和侧壁表面的第一侧墙膜。

5.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料和第一侧墙膜的材料不同；所述牺牲层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅；所述第一侧墙膜的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

6.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述源极的形成方法包括：以所述浮栅极结构和第一侧墙膜为掩膜，对所述开口底部的第一鳍部的擦除区和第二鳍部进行离子注入工艺，形成所述源极。

7.如权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述擦除栅极结构的形成方法包括：在所述开口内、以及第一侧墙膜顶部表面形成擦除栅极膜；平坦化所述擦除栅极膜，直至暴露出第一侧墙膜顶部表面，在第一鳍部的擦除区和第二鳍部上形成所述擦除栅极结构。

8.如权利要求7所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述擦除栅极膜包括：位于开口侧壁表面和底部表面、以及第一侧墙膜顶部表面的擦除介质膜、以及位于所述擦除介质膜表面的擦除电极膜；所述擦除介质膜的材料包括：氧化硅或者高K介质材料，所述擦除电极膜的材料包括：多晶硅或者金属材料。