[发明专利]一种5G通信关键射频芯片材料

权利要求书

1.一种5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料；

所述精抛光处理中所使用的精抛光液包括如下重量百分比的组分：20~30 wt%混合磨粒，0.4~0.8 wt%腐蚀剂，0.3~0.7 wt%氧化剂，0.001~0.01 wt% 促进剂，水余量；

所述混合磨粒由纯化硅溶胶和改性碳化硼按质量比为1:1构成；

所述纯化硅溶胶的粒径范围为60~90 nm；

所述改性碳化硼的粒径范围为100~130nm；

所述改性碳化硼的制备工艺包括如下步骤：

S1 将结构式为H₂N-CH₂CH₂CH₂-Si(OC₂H₅)₃的键合剂加入到乙醇水溶液中，将溶液加入到装有碳化硼粉末的容器中，超声振荡处理，在80℃回流反应3h，反应完成后经过滤、洗涤、干燥处理，得到键合后的碳化硼；所述键合剂的用量为碳化硼粉末质量的10%；

S2 将改性剂W加入到键合后的碳化硼中，充分研磨，在60℃反应30min，得到改性碳化硼；所述改性剂W的用量为碳化硼粉末质量的5%；所述改性剂W的结构式为：

。

2.如权利要求1所述的5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述腐蚀剂为甲酸、三氯乙酸、二氯乙酸中的一种。

3.如权利要求1所述的5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述氧化剂为硫酸氢钾、高碘酸铵、高氯酸铵中的一种。

4.如权利要求1所述的5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述促进剂为硫酸亚铁、硝酸钴、氯化亚铁中的一种。

5.如权利要求1所述的5G通信关键射频芯片材料，其特征在于，所述精抛光处理中所使用的抛光条件如下：抛光压力：400克/平方厘米；工件转速：80转/分钟；下盘转速：150转/分钟；抛光液流量：60毫升/分钟；抛光时间：1小时。