[发明专利]一种共源共栅结构的电流源在审
| 申请号： | 201910687739.7 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110333751A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王海波;张洪俞;黎敏霞 | 申请（专利权）人： | 南京微盟电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 奚幼坚 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市玄武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 共源共栅结构 基准电流源 电流源 互连 衬底 漏极 源极 连接电源 负端接地 镜像电流 输出端 正端 输出 | ||
1.一种共源共栅结构的电流源，其特征在于：包括基准电流源Ibias、PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3，PMOS管P1的源极与衬底互连并连接电源VCC，PMOS管P1的栅极与漏极互连并连接基准电流源Ibias的正端以及PMOS管P2的栅极和PMOS管P3的栅极，基准电流源Ibias的负端接地，PMOS管P2的源极与衬底源互连并连接电源VCC以及PMOS管P3的衬底，PMOS管P2的漏极连接PMOS管P3的源极，PMOS管P3的漏极作为共源共栅结构电流源的输出端，输出镜像电流Imirror。
2.根据权利要求1所述的共源共栅结构的电流源，其特征在于：所述PMOS管P1和PMOS管P2均为增强型场效应管、PMOS管P3为耗尽型场效应管。
3.根据权利要求2所述的共源共栅结构的电流源，其特征在于：所述PMOS管P3为低阈值场效应管。
4.根据权利要求1所述的共源共栅结构的电流源，其特征在于：所述PMOS管P1、PMOS管P2和PMOS管P3分别对应由NMOS管N1、NMOS管N2和NMOS管N3替换，NMOS管N1的源极与衬底互连并与NMOS管N3的源极和衬底以及NMOS管N2的衬底连接在一起接地，NMOS管N1的栅极与漏极互连并连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N3的栅极以及基准电流源Ibias的负端，基准电流源Ibias的正端连接电源VCC，NMOS管N3的漏极作为共源共栅结构电流源的输出端，输出镜像电流Imirror。
5.根据权利要求4所述的共源共栅结构的电流源，其特征在于：所述NMOS管N1和NMOS管N2均为增强型场效应管、NMOS管N3为耗尽型场效应管。
6.根据权利要求5所述的共源共栅结构的电流源，其特征在于：所述NMOS管N3为低阈值场效应管。
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