[发明专利]一种碳化硅单晶连续生长装置及其生长方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶连续生长装置，其特征在于：包括依次连通的原料仓、生长仓和回收仓、用于将所述原料仓中的碳化硅多晶原料送入所述生长仓中的送料机构，所述送料机构，还用于将所述生长仓中的残渣送入所述回收仓中，所述送料机构沿其送料方向依次经过所述原料仓、所述生长仓、所述回收仓；

所述生长仓包括坩埚本体、可升降的套设或穿设于所述坩埚本体上部的且用于在其下表面安装籽晶的坩埚盖、用于驱动所述坩埚盖升降的驱动机构、用于为所述坩埚本体加热的加热机构；所述坩埚盖位于所述送料机构的上方；

所述送料机构包括连续式螺杆输送段，所述连续式螺杆输送段，用于通过控制其输送速度将且仅将残渣送出所述生长仓；

或所述送料机构包括沿送料方向依次经过所述原料仓和所述生长仓的且可连续转动的第一螺杆输送段、沿送料方向依次经过所述生长仓和所述回收仓的且可间歇性转动的第二螺杆输送段；

所述送料机构的送料方向沿水平方向延伸；

所述装置还包括连通在所述原料仓和所述生长仓之间的第一连通管、连通在所述生长仓和所述回收仓之间的第二连通管。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶连续生长装置，其特征在于：所述加热机构为感应加热线圈或电阻加热器。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶连续生长装置，其特征在于：所述装置还包括设于所述坩埚本体和所述坩埚盖之间的密封圈。

4.一种碳化硅单晶连续生长方法，通过权利要求1-3中任一项所述的生长装置实现，其特征在于：在坩埚盖下表面安装籽晶，将所述坩埚盖密封连接在坩埚本体上部，对所述坩埚本体抽真空并加热，连续向所述坩埚本体中通入位于籽晶下方的碳化硅多晶原料，以在籽晶上连续生长碳化硅单晶，同时将所述坩埚本体中的残渣连续或间歇性送出所述坩埚本体；随着碳化硅单晶的逐渐长大，在保证所述坩埚盖和所述坩埚本体之间密封性的同时，逐渐向上提起所述坩埚盖，使碳化硅单晶底部与所述坩埚本体底部的碳化硅多晶原料之间保持设定距离。